频率信息从DPLL-0到DPLL-1磁感应强度做出线性响应
发布时间:2021/6/1 8:54:39 访问次数:825
芯片还包括低噪音放大器(LNA),全差分图像抑制混合器,集成了压控振荡器(VCO)的片上锁相环(PLL),接收信号强度指示器(RSSI)和数字解调器.
器件具有33dB校准图相抑制,LNA输入具有±2.5kV HBM ESD 保护和±4kV.高达200kbps数据速率(NRZ),工作电压1.8V-3.6V,工作温度-40C 到+105C,4mm x 4mm 12引脚TQFN封装.
主要用在案家庭自动化和安全,建筑物接入控制,车库门开启(GDO),无钥匙遥控器(RKE), 胎压监测系统(TPMS)和餐厅传呼机.
SiC技术应用：
用于太阳能和风能的DC / AC转换器中的高效逆变器
电动和混合动力汽车的功率转换器
工业设备和空调的功率逆变器
X射线发生器的高压开关
薄膜镀膜工艺
罗姆碳化硅产品
频率信息能从DPLL-0 到DPLL-1,反之亦然,使得两个基准(组合模式)的频率特性得以组合.
8V19N850可通过引脚映射I3CSM(包括以前的I2C)和3/4线SPI接口进行配置.设备时钟域(RF-PLL)支持JESD204B/C,而数字时钟域(以太网和FEC速率)支持eEEC和T-BC/T-TSC Class C.
器件的核电源为3.3V,输出电压为3.3V,2.5V和1.8V.采用10 × 10 mm 88-VFQFPN封装,工作温度-40C 到 +105C.主要用于无线基础设备5G无线电.
四个独立发射器使用直接变频调制器,可在低功耗下实现低噪声运行.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
芯片还包括低噪音放大器(LNA),全差分图像抑制混合器,集成了压控振荡器(VCO)的片上锁相环(PLL),接收信号强度指示器(RSSI)和数字解调器.
器件具有33dB校准图相抑制,LNA输入具有±2.5kV HBM ESD 保护和±4kV.高达200kbps数据速率(NRZ),工作电压1.8V-3.6V,工作温度-40C 到+105C,4mm x 4mm 12引脚TQFN封装.
主要用在案家庭自动化和安全,建筑物接入控制,车库门开启(GDO),无钥匙遥控器(RKE), 胎压监测系统(TPMS)和餐厅传呼机.
SiC技术应用：
用于太阳能和风能的DC / AC转换器中的高效逆变器
电动和混合动力汽车的功率转换器
工业设备和空调的功率逆变器
X射线发生器的高压开关
薄膜镀膜工艺
罗姆碳化硅产品
频率信息能从DPLL-0 到DPLL-1,反之亦然,使得两个基准(组合模式)的频率特性得以组合.
8V19N850可通过引脚映射I3CSM(包括以前的I2C)和3/4线SPI接口进行配置.设备时钟域(RF-PLL)支持JESD204B/C,而数字时钟域(以太网和FEC速率)支持eEEC和T-BC/T-TSC Class C.
器件的核电源为3.3V,输出电压为3.3V,2.5V和1.8V.采用10 × 10 mm 88-VFQFPN封装,工作温度-40C 到 +105C.主要用于无线基础设备5G无线电.
四个独立发射器使用直接变频调制器,可在低功耗下实现低噪声运行.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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