位置:51电子网 » 技术资料 » 家用电器

输入电压在48V至12V时的峰值效率98%板子的1/3

发布时间:2021/5/31 12:06:45 访问次数:356

新的芯片以应对以太币的特殊需求,芯片将专门用于开采第二大数字加密货币以太币,并希望在此过程中提高GeForce产品线中最佳显卡的可用性。

输入电压在48V至12V时的峰值效率为98%,在提供1 kW功率、12 V时的满载效率为97%。

这种新的芯片被命名为“CMP”,全称“Cryptocurrency Mining Processor”(加密货币开采处理器),特点是优化设计,使得用户可以更有效地挖矿,更快地回收他们的挖矿投资。

制造商:Renesas Electronics 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 封装 / 箱体:SOIC-14 晶体管极性:NPN 配置:Quint 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 集电极—基极电压 VCBO:20 V 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V 最大直流电集电极电流:0.05 A Pd-功率耗散:300 mW 增益带宽产品fT:550 MHz 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 125 C 高度:1.5 mm 长度:8.65 mm 技术:Si 宽度:3.9 mm 商标:Renesas / Intersil 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 at 1 mA, 3 V 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 子类别:Transistors 单位重量:241 mg

不带散热器的转换器的总厚度仅为10 mm。为了让工程师能够轻松地复制这个设计,该电路板的所有设计资源,包括原理图、物料清单和Gerber文档,都可以在EPC网站上找到。

氮化镓场效应晶体管(eGaNFET)技术,才可以实现1226 W / in3的高功率密度。

eGaN FET具有高开关频率,这个板子的频率是1 MHz且微型,其尺寸仅为采用相同导通电阻的硅MOSFET的板子的1/3。

扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


新的芯片以应对以太币的特殊需求,芯片将专门用于开采第二大数字加密货币以太币,并希望在此过程中提高GeForce产品线中最佳显卡的可用性。

输入电压在48V至12V时的峰值效率为98%,在提供1 kW功率、12 V时的满载效率为97%。

这种新的芯片被命名为“CMP”,全称“Cryptocurrency Mining Processor”(加密货币开采处理器),特点是优化设计,使得用户可以更有效地挖矿,更快地回收他们的挖矿投资。

制造商:Renesas Electronics 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 封装 / 箱体:SOIC-14 晶体管极性:NPN 配置:Quint 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 集电极—基极电压 VCBO:20 V 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V 最大直流电集电极电流:0.05 A Pd-功率耗散:300 mW 增益带宽产品fT:550 MHz 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 125 C 高度:1.5 mm 长度:8.65 mm 技术:Si 宽度:3.9 mm 商标:Renesas / Intersil 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 at 1 mA, 3 V 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 子类别:Transistors 单位重量:241 mg

不带散热器的转换器的总厚度仅为10 mm。为了让工程师能够轻松地复制这个设计,该电路板的所有设计资源,包括原理图、物料清单和Gerber文档,都可以在EPC网站上找到。

氮化镓场效应晶体管(eGaNFET)技术,才可以实现1226 W / in3的高功率密度。

eGaN FET具有高开关频率,这个板子的频率是1 MHz且微型,其尺寸仅为采用相同导通电阻的硅MOSFET的板子的1/3。

扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


热门点击

 

推荐技术资料

PCB布线要点
    整机电路图见图4。将电路画好、检查无误之后就开始进行电... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13692101218  13751165337
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!