输入电压在48V至12V时的峰值效率98%板子的1/3
发布时间:2021/5/31 12:06:45 访问次数:356
新的芯片以应对以太币的特殊需求,芯片将专门用于开采第二大数字加密货币以太币,并希望在此过程中提高GeForce产品线中最佳显卡的可用性。
输入电压在48V至12V时的峰值效率为98%,在提供1 kW功率、12 V时的满载效率为97%。
这种新的芯片被命名为“CMP”,全称“Cryptocurrency Mining Processor”(加密货币开采处理器),特点是优化设计,使得用户可以更有效地挖矿,更快地回收他们的挖矿投资。
制造商:Renesas Electronics 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 封装 / 箱体:SOIC-14 晶体管极性:NPN 配置:Quint 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 集电极—基极电压 VCBO:20 V 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V 最大直流电集电极电流:0.05 A Pd-功率耗散:300 mW 增益带宽产品fT:550 MHz 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 125 C 高度:1.5 mm 长度:8.65 mm 技术:Si 宽度:3.9 mm 商标:Renesas / Intersil 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 at 1 mA, 3 V 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 子类别:Transistors 单位重量:241 mg
不带散热器的转换器的总厚度仅为10 mm。为了让工程师能够轻松地复制这个设计,该电路板的所有设计资源,包括原理图、物料清单和Gerber文档,都可以在EPC网站上找到。
氮化镓场效应晶体管(eGaNFET)技术,才可以实现1226 W / in3的高功率密度。
eGaN FET具有高开关频率,这个板子的频率是1 MHz且微型,其尺寸仅为采用相同导通电阻的硅MOSFET的板子的1/3。
扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。
新的芯片以应对以太币的特殊需求,芯片将专门用于开采第二大数字加密货币以太币,并希望在此过程中提高GeForce产品线中最佳显卡的可用性。
输入电压在48V至12V时的峰值效率为98%,在提供1 kW功率、12 V时的满载效率为97%。
这种新的芯片被命名为“CMP”,全称“Cryptocurrency Mining Processor”(加密货币开采处理器),特点是优化设计,使得用户可以更有效地挖矿,更快地回收他们的挖矿投资。
制造商:Renesas Electronics 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 封装 / 箱体:SOIC-14 晶体管极性:NPN 配置:Quint 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 集电极—基极电压 VCBO:20 V 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V 最大直流电集电极电流:0.05 A Pd-功率耗散:300 mW 增益带宽产品fT:550 MHz 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 125 C 高度:1.5 mm 长度:8.65 mm 技术:Si 宽度:3.9 mm 商标:Renesas / Intersil 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 at 1 mA, 3 V 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 子类别:Transistors 单位重量:241 mg
不带散热器的转换器的总厚度仅为10 mm。为了让工程师能够轻松地复制这个设计,该电路板的所有设计资源,包括原理图、物料清单和Gerber文档,都可以在EPC网站上找到。
氮化镓场效应晶体管(eGaNFET)技术,才可以实现1226 W / in3的高功率密度。
eGaN FET具有高开关频率,这个板子的频率是1 MHz且微型,其尺寸仅为采用相同导通电阻的硅MOSFET的板子的1/3。
扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。