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固件优化实现200K IOPS的稳态随机写入性能

发布时间:2021/5/30 15:12:03 访问次数:312

PM9A3 U.2使用三星第六代3D闪存(V-NAND)技术,基于NVMe协议,完全符合开放计算项目(OCP)NVMe 云端固态硬盘规范,并能根据数据中心需求,在性能、电源效率、可靠性、安全性等方面,提供高级别的解决方案。  

PM9A3 U.2搭载了支持PCIe 4.0技术的的全新控制器和三星第六代3D闪存(V-NAND)技术,并通过固件优化实现了200K IOPS的稳态随机写入性能,同比上一代产品PM983 U.2提升了4倍。

随机写入速度尤为重要,相信PM9A3U.2出色的表现,能很好地满足这些客户的需求。


制造商:Vishay产品种类:整流器RoHS: 安装风格:Through Hole封装 / 箱体:DO-204AC(DO-15)Vr - 反向电压 :800 VIf - 正向电流:1 A类型:Fast Recovery Rectifiers配置:SingleVf - 正向电压:2.5 V最大浪涌电流:30 AIr - 反向电流 :5 uA恢复时间:75 ns最小工作温度:- 65 C最大工作温度:+ 175 C系列:封装:Cut Tape封装:Reel高度:3.6 mm长度:7.6 mm产品:Rectifiers端接类型:Axial宽度:3.6 mm商标:Vishay General SemiconductorPd-功率耗散:-产品类型:Rectifiers1400子类别:Diodes & Rectifiers单位重量:350 mg

主要应用

散热器格栅百叶窗

智能阀门和智能泵

LIN 总线连接执行器

坚固的封装设计提供高水平保护,防止水和其他污染物的侵入

在同类气压传感器中封装最小,便于集成至可穿戴设备和其他便携式产品

在其使用寿命内保持卓越的性能、精度和可靠性

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

PM9A3 U.2使用三星第六代3D闪存(V-NAND)技术,基于NVMe协议,完全符合开放计算项目(OCP)NVMe 云端固态硬盘规范,并能根据数据中心需求,在性能、电源效率、可靠性、安全性等方面,提供高级别的解决方案。  

PM9A3 U.2搭载了支持PCIe 4.0技术的的全新控制器和三星第六代3D闪存(V-NAND)技术,并通过固件优化实现了200K IOPS的稳态随机写入性能,同比上一代产品PM983 U.2提升了4倍。

随机写入速度尤为重要,相信PM9A3U.2出色的表现,能很好地满足这些客户的需求。


制造商:Vishay产品种类:整流器RoHS: 安装风格:Through Hole封装 / 箱体:DO-204AC(DO-15)Vr - 反向电压 :800 VIf - 正向电流:1 A类型:Fast Recovery Rectifiers配置:SingleVf - 正向电压:2.5 V最大浪涌电流:30 AIr - 反向电流 :5 uA恢复时间:75 ns最小工作温度:- 65 C最大工作温度:+ 175 C系列:封装:Cut Tape封装:Reel高度:3.6 mm长度:7.6 mm产品:Rectifiers端接类型:Axial宽度:3.6 mm商标:Vishay General SemiconductorPd-功率耗散:-产品类型:Rectifiers1400子类别:Diodes & Rectifiers单位重量:350 mg

主要应用

散热器格栅百叶窗

智能阀门和智能泵

LIN 总线连接执行器

坚固的封装设计提供高水平保护,防止水和其他污染物的侵入

在同类气压传感器中封装最小,便于集成至可穿戴设备和其他便携式产品

在其使用寿命内保持卓越的性能、精度和可靠性

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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