IHXL-1500VZ-51处理高瞬态电流尖峰的交流驱动器
发布时间:2021/5/27 12:39:38 访问次数:728
800V H系列可控硅,其在最大额定输出电流时最高结温达到150°C,因此可以将交流负载驱动器的散热器尺寸缩减多达50%,开发紧凑尺寸与高可靠性兼备的交流驱动器。
新的800V H系列可控硅适用于工业制造设备、个人护理产品、智能家居产品和智能建筑系统,利用意法半导体最新的Snubberless™高温技术实现了出色的耐用性。
低导通电压(VTM)确保开关具有较高的工作能效,并最大程度地降低器件本身的自发热量,具有很低的漏电流,并能够长时间保持低漏电流,从而降低了待机电能损耗。
制造商:Texas Instruments 产品种类:参考电压 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 参考类型:Shunt Precision References 输出电压:1.235 V 初始准确度:2 % 温度系数:150 PPM/C 分流电流—最大值:20 mA 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 准确性:20 mV 描述/功能:MICROPOWER VOLTAGE REFERENCE DIODE 高度:1.45 mm 长度:4.9 mm 产品:Voltage References 宽度:3.9 mm 商标:Texas Instruments 拓扑结构:Shunt References 负载调节:20 mV 产品类型:Voltage References 2500 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:143 mg
IHXL-1500VZ-51可处理高瞬态电流尖峰,不会出现硬饱和,195 % 额定电流条件下软饱和为20 %。
这些全新设计的FMBC EP模型可完美替代所有类型的SCHURTER FMBC和FMBC NEO滤波器。新版本具备相同的性能,但尺寸和重量均显著减小。
高临界关断电流斜率配合稳健的动态性能,可防止发生多余的换向操作。适用于漏电流小于4mA的工业应用,而漏电流小于1mA的特别版本则适用于对漏电流敏感的应用。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
800V H系列可控硅,其在最大额定输出电流时最高结温达到150°C,因此可以将交流负载驱动器的散热器尺寸缩减多达50%,开发紧凑尺寸与高可靠性兼备的交流驱动器。
新的800V H系列可控硅适用于工业制造设备、个人护理产品、智能家居产品和智能建筑系统,利用意法半导体最新的Snubberless™高温技术实现了出色的耐用性。
低导通电压(VTM)确保开关具有较高的工作能效,并最大程度地降低器件本身的自发热量,具有很低的漏电流,并能够长时间保持低漏电流,从而降低了待机电能损耗。
制造商:Texas Instruments 产品种类:参考电压 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 参考类型:Shunt Precision References 输出电压:1.235 V 初始准确度:2 % 温度系数:150 PPM/C 分流电流—最大值:20 mA 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 70 C 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 准确性:20 mV 描述/功能:MICROPOWER VOLTAGE REFERENCE DIODE 高度:1.45 mm 长度:4.9 mm 产品:Voltage References 宽度:3.9 mm 商标:Texas Instruments 拓扑结构:Shunt References 负载调节:20 mV 产品类型:Voltage References 2500 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:143 mg
IHXL-1500VZ-51可处理高瞬态电流尖峰,不会出现硬饱和,195 % 额定电流条件下软饱和为20 %。
这些全新设计的FMBC EP模型可完美替代所有类型的SCHURTER FMBC和FMBC NEO滤波器。新版本具备相同的性能,但尺寸和重量均显著减小。
高临界关断电流斜率配合稳健的动态性能,可防止发生多余的换向操作。适用于漏电流小于4mA的工业应用,而漏电流小于1mA的特别版本则适用于对漏电流敏感的应用。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)