“BD9G500EFJ-LA”适用于48V电源系统，具有业内超高的80V耐压，同时由于其内置MOSFET，可实现同类产品中高达5A的输出电流，且支持大功率，从而有助于5G通信基站和充电桩等设备实现更高可靠性和性能。

“BD9F500QUZ”则适用于24V电源系统,采用小型薄型封装（3.0mm×3.0mm×0.4mm）,虽然小巧却实现了39V的耐压和5A的输出电流，有助于以FA设备为首的众多先进工业设备实现更高性能和更小体积。

通过节省安装面积和削减部件数量，有助于应用产品降低成本并更加小型化,非常适用于24V电源系统的“BD9F500QUZ”.

制造商:IXYS 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-264-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:150 V Id-连续漏极电流:400 A Rds On-漏源导通电阻:3.1 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V Qg-栅极电荷:430 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:1.5 kW 通道模式:Enhancement 商标名:HiPerFET 配置:Single 系列:X4-Class 商标:IXYS 下降时间:8 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:22 ns 工厂包装数量:1 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:180 ns 典型接通延迟时间:40 ns 单位重量:10 g

HoriZone RA开发套件，该套件旨在为需要安全通信的边缘到云的物联网（IoT）应用程序提供概念验证设计。

该套件采用瑞萨电子RA系列微控制器，用于安全的IoT端点和边缘设备，该套件为连接到基于Microsoft Azure云的Avnet IoTConnect平台的资源受限嵌入式系统（RCES）提供安全功能。

作为多传感器解决方案，Avnet开发套件具有可扩展性，并提供了从概念验证，项目设计到部署（包括所有必需的构建模块）的理想途径。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）