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内部总线消除输入/输出(I/O)瓶颈数字音频接口(DAI)

发布时间:2021/5/25 8:38:56 访问次数:275

ADSP-2156x系列SHARC处理器是基于SHARC+®单核,具有Super Harvard架构.

32位/40位/64位浮点处理器,具有大容量片上SRAM,多种内部总线消除输入/输出(I/O)瓶颈,具有创新的数字音频接口(DAI),最适合用在高性能音频/浮点应用.

SHARC+处理核新增加的功能包括缓存增强功能和分支预测,而同时保持了以前SHARC产品的指令集功能.SHARC+处理器集成了丰富的业界一流系统外设和存储器,是需要相似于精简指令集(RISC)编程的应用平台的选择,并支持多媒体和一流边沿信号处理.

制造商:Microchip 产品种类:8位微控制器 -MCU 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TQFP-44 程序存储器大小:16 kB 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:20 MHz 输入/输出端数量:32 I/O 数据 RAM 大小:1 kB 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 高度:1.05 mm 长度:10.1 mm 产品:MCU 程序存储器类型:Flash 宽度:10.1 mm 商标:Microchip Technology / Atmel 数据 Ram 类型:SRAM 数据 ROM 大小:512 B 数据 Rom 类型:EEPROM 接口类型:2-Wire, SPI, USART 湿度敏感性:Yes 计时器/计数器数量:3 Timer 处理器系列:megaAVR 产品类型:8-bit Microcontrollers - MCU 工厂包装数量160 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 单位重量:2.188 g

汽车电子市场的音频放大器,音响主机, ANC/RNC,后座娱乐设备, 数字驾驶舱以及消费类电子市场的扬声器,条形音响,AVR, 会议系统,混音控制台,麦克风阵列和耳机.

采用C0G(NP0)电介质的器件,电容低至1.0 pF,–55°C ~ +125°C条件下,电容温度系数(TCC)为0 ppm/°C ± 30 ppm/°C,每十年最大老化率为0 %。

新系列含铅(Pb)端接涂层的表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC),适用于近地轨道(LEO)卫星以及其他需要避免锡须的航天,国防和航空电子应用。其工作温度可达+150 °C。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

ADSP-2156x系列SHARC处理器是基于SHARC+®单核,具有Super Harvard架构.

32位/40位/64位浮点处理器,具有大容量片上SRAM,多种内部总线消除输入/输出(I/O)瓶颈,具有创新的数字音频接口(DAI),最适合用在高性能音频/浮点应用.

SHARC+处理核新增加的功能包括缓存增强功能和分支预测,而同时保持了以前SHARC产品的指令集功能.SHARC+处理器集成了丰富的业界一流系统外设和存储器,是需要相似于精简指令集(RISC)编程的应用平台的选择,并支持多媒体和一流边沿信号处理.

制造商:Microchip 产品种类:8位微控制器 -MCU 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TQFP-44 程序存储器大小:16 kB 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:20 MHz 输入/输出端数量:32 I/O 数据 RAM 大小:1 kB 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 高度:1.05 mm 长度:10.1 mm 产品:MCU 程序存储器类型:Flash 宽度:10.1 mm 商标:Microchip Technology / Atmel 数据 Ram 类型:SRAM 数据 ROM 大小:512 B 数据 Rom 类型:EEPROM 接口类型:2-Wire, SPI, USART 湿度敏感性:Yes 计时器/计数器数量:3 Timer 处理器系列:megaAVR 产品类型:8-bit Microcontrollers - MCU 工厂包装数量160 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 单位重量:2.188 g

汽车电子市场的音频放大器,音响主机, ANC/RNC,后座娱乐设备, 数字驾驶舱以及消费类电子市场的扬声器,条形音响,AVR, 会议系统,混音控制台,麦克风阵列和耳机.

采用C0G(NP0)电介质的器件,电容低至1.0 pF,–55°C ~ +125°C条件下,电容温度系数(TCC)为0 ppm/°C ± 30 ppm/°C,每十年最大老化率为0 %。

新系列含铅(Pb)端接涂层的表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC),适用于近地轨道(LEO)卫星以及其他需要避免锡须的航天,国防和航空电子应用。其工作温度可达+150 °C。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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