振幅可达±3V到50 Ohm负载或±6V到高阻抗(1MOhm)
发布时间:2021/5/24 18:25:32 访问次数:294
hybridNETBOX型号DN2.825-04提供了4个AWG通道，输出波形速率高达625 MS/s，分辨率为16位。
新型号产品有两个或四个AWG通道和同等数量的数字化仪通道可选。使用最新的16位高分辨率数字化仪以及数字模拟转换器（DAC）后，AWG通道几乎能够产生任何波形。
此外，新型号的输出速率为625 MS/s或1.25 GS/s，信号带宽也高达400 MHz（600 MHz选项）。
输出速率为625 MS/s时，通道能够通过编程转换为输出信号，振幅可达±3 V到50 Ohm负载或±6V到高阻抗(1 MOhm)。
制造商:GigaDevice 产品种类:NOR闪存 RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:USON-8 系列:GD25D05C 存储容量:512 kbit 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:3.6 V 有源读取电流（最大值）:20 mA 接口类型:SPI 最大时钟频率:80 MHz 组织:64 k x 8 数据总线宽度:8 bit 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Cut Tape 封装:Reel 速度:80 MHz 商标:GigaDevice 电源电流—最大值:20 mA 湿度敏感性:Yes 产品类型:NOR Flash 工厂包装数量:3000 子类别:Memory & Data Storage
它的处理特性包括高达39K逻辑单元,56个18x18乘法器,2.9Mb嵌入存储器(由EBR和LRAM区块组成),分布式存储器,DRAM接口(支持DDR3,DDR3L,LPDDR2和LPDDR3,高达1066 Mbpsx16数据宽).
器件支持高达1.8V VCCIO,混合电压支持1.0 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V,高速差分高达1.5Gbps,支持soft D-PHY (Tx/Rx), LVDS 7:1 (Tx/Rx), SLVS (Tx/Rx), subLVDS (Rx)以及SGMII(Gb 以太网)-1.25Gbps时两路(Tx/Rx).
器件完全满足FCC, CE, IC, MIC, KCC和其它规范标准如蓝牙5,QDID和Declaration ID.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
hybridNETBOX型号DN2.825-04提供了4个AWG通道，输出波形速率高达625 MS/s，分辨率为16位。
新型号产品有两个或四个AWG通道和同等数量的数字化仪通道可选。使用最新的16位高分辨率数字化仪以及数字模拟转换器（DAC）后，AWG通道几乎能够产生任何波形。
此外，新型号的输出速率为625 MS/s或1.25 GS/s，信号带宽也高达400 MHz（600 MHz选项）。
输出速率为625 MS/s时，通道能够通过编程转换为输出信号，振幅可达±3 V到50 Ohm负载或±6V到高阻抗(1 MOhm)。
制造商:GigaDevice 产品种类:NOR闪存 RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:USON-8 系列:GD25D05C 存储容量:512 kbit 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:3.6 V 有源读取电流（最大值）:20 mA 接口类型:SPI 最大时钟频率:80 MHz 组织:64 k x 8 数据总线宽度:8 bit 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Cut Tape 封装:Reel 速度:80 MHz 商标:GigaDevice 电源电流—最大值:20 mA 湿度敏感性:Yes 产品类型:NOR Flash 工厂包装数量:3000 子类别:Memory & Data Storage
它的处理特性包括高达39K逻辑单元,56个18x18乘法器,2.9Mb嵌入存储器(由EBR和LRAM区块组成),分布式存储器,DRAM接口(支持DDR3,DDR3L,LPDDR2和LPDDR3,高达1066 Mbpsx16数据宽).
器件支持高达1.8V VCCIO,混合电压支持1.0 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V,高速差分高达1.5Gbps,支持soft D-PHY (Tx/Rx), LVDS 7:1 (Tx/Rx), SLVS (Tx/Rx), subLVDS (Rx)以及SGMII(Gb 以太网)-1.25Gbps时两路(Tx/Rx).
器件完全满足FCC, CE, IC, MIC, KCC和其它规范标准如蓝牙5,QDID和Declaration ID.
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公网安备44030402000607
