448KB支持奇偶校验的运行功耗降至接近待机水平
发布时间:2021/5/24 13:01:22 访问次数:268
RA6M5产品群采用支持TrustZone® 的高性能 Arm® Cortex®-M33 内核,工作频率高达200MHz, 支持TrustZone®、以太网和 CAN FD.
集成带有专用 DMA 的以太网 MAC,可确保高数据吞吐率.
RA6M5 采用高效的40nm 工艺,可以满足物联网应用的需求,如以太网,面向未来应用的安全功能,大容量嵌入式 RAM和低功耗, 低至 107uA/MHz.
器件具有1MB - 2MB 闪存,448KB 支持奇偶校验的 SRAM 和 64KB ECC SRAM.
制造商: ISSI
产品种类: 静态随机存取存储器
存储容量: 8 Mbit
组织: 512 k x 16
访问时间: 10 ns
接口类型: Parallel
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 2.4 V
电源电流—最大值: 95 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-44
存储类型: SDR
系列: IS61WV51216EEBLL
类型: Asynchronous
商标: ISSI
产品类型: SRAM
工厂包装数量: 135
子类别: Memory & Data Storage
这些特性可使芯片在整个温度和电压范围内实现最低功耗，并通过提供多种低功耗模式，最大限度提升不同应用的系统设计灵活度。
在进行功耗基准测试时，RA2E1 MCU在1.8V电压下EEMBC®ULPMarkTM评测得分为321，验证了其同类一流的功耗水平。
现在用户可将运行功耗降至接近待机水平，以延长电池寿命。
ESD保护特性,人体模式(HBM)为+/-2000V,充电模式(CDM)为+/-500V.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
RA6M5产品群采用支持TrustZone® 的高性能 Arm® Cortex®-M33 内核,工作频率高达200MHz, 支持TrustZone®、以太网和 CAN FD.
集成带有专用 DMA 的以太网 MAC,可确保高数据吞吐率.
RA6M5 采用高效的40nm 工艺,可以满足物联网应用的需求,如以太网,面向未来应用的安全功能,大容量嵌入式 RAM和低功耗, 低至 107uA/MHz.
器件具有1MB - 2MB 闪存,448KB 支持奇偶校验的 SRAM 和 64KB ECC SRAM.
制造商: ISSI
产品种类: 静态随机存取存储器
存储容量: 8 Mbit
组织: 512 k x 16
访问时间: 10 ns
接口类型: Parallel
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 2.4 V
电源电流—最大值: 95 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-44
存储类型: SDR
系列: IS61WV51216EEBLL
类型: Asynchronous
商标: ISSI
产品类型: SRAM
工厂包装数量: 135
子类别: Memory & Data Storage
这些特性可使芯片在整个温度和电压范围内实现最低功耗，并通过提供多种低功耗模式，最大限度提升不同应用的系统设计灵活度。
在进行功耗基准测试时，RA2E1 MCU在1.8V电压下EEMBC®ULPMarkTM评测得分为321，验证了其同类一流的功耗水平。
现在用户可将运行功耗降至接近待机水平，以延长电池寿命。
ESD保护特性,人体模式(HBM)为+/-2000V,充电模式(CDM)为+/-500V.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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