有源单元设计结合先进的薄晶圆技术对流冷却的AC-DC电源
发布时间:2021/5/22 17:48:47 访问次数:389
新一代SiC MOSFET采用新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，可在650 V击穿电压实现同类最佳的品质因数Rsp (Rdson * area)。
NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L和To247封装，具有市场最低的Rdson (12 mOhm)。
这技术还优化能量损失品质因数，从而优化了汽车和工业应用中的性能。
内置门极电阻 (Rg)为设计人员提供更大的灵活性，而无需使用外部门极电阻人为地降低器件的速度。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 达林顿晶体管
RoHS: 详细信息
配置: Array 7
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V
最大集电极截止电流: 100 uA
Pd-功率耗散: 950 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSSOP-16
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
系列: ULQ2003A-Q1
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
工作温度范围: - 40 C to + 125 C
商标: Texas Instruments
集电极连续电流: 500 mA
产品类型: Darlington Transistors
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
单位重量: 173 mg
该电感器预期将用于NFC电路的LC滤波器。
稳压输出、自然对流冷却的AC-DC电源LCS系列，该系列非常适合注重预算的应用。
四个新系列（LCS35、LCS50、LCS75和LCS100）分别提供35W、50W、75W和100W的功率水平，并符合B级传导和辐射标准，便于低成本的系统集成，同时集成了连接器盖，以提高安装后的安全性。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
新一代SiC MOSFET采用新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，可在650 V击穿电压实现同类最佳的品质因数Rsp (Rdson * area)。
NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L和To247封装，具有市场最低的Rdson (12 mOhm)。
这技术还优化能量损失品质因数，从而优化了汽车和工业应用中的性能。
内置门极电阻 (Rg)为设计人员提供更大的灵活性，而无需使用外部门极电阻人为地降低器件的速度。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 达林顿晶体管
RoHS: 详细信息
配置: Array 7
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V
最大集电极截止电流: 100 uA
Pd-功率耗散: 950 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSSOP-16
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
系列: ULQ2003A-Q1
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
工作温度范围: - 40 C to + 125 C
商标: Texas Instruments
集电极连续电流: 500 mA
产品类型: Darlington Transistors
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
单位重量: 173 mg
该电感器预期将用于NFC电路的LC滤波器。
稳压输出、自然对流冷却的AC-DC电源LCS系列，该系列非常适合注重预算的应用。
四个新系列（LCS35、LCS50、LCS75和LCS100）分别提供35W、50W、75W和100W的功率水平，并符合B级传导和辐射标准，便于低成本的系统集成，同时集成了连接器盖，以提高安装后的安全性。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-6集成 MPPT 算法 DC-DC 芯片产品应用概述
- 5-6PMU 芯片、AI 电源管理芯片优特点及用途分析
- 5-6单芯片高像素CIS架构3,200 万像素图像传感器
- 5-6UFS主控芯片WM7000系列应用详情
- 5-6模拟芯片与互联芯片市场布局走势及应用前景探究
- 5-6存储芯片市场布局驱动芯片与智能卡芯片产品发展趋势分析
- 5-5新一代至强处理器Clearwater
- 5-5Ti2AlSnC MAX米纤维膜光热层光热蒸发器
- 5-5Foveros Direct和 EMIB（2.5D桥接）技术详解
- 5-518A-PT工艺先进3D封装技术应用研究
- 5-5新一代超薄中长距激光雷达EMX
- 5-5激光雷达+双英伟达Thor芯片（算力1400TOPS）探究
公网安备44030402000607
