650伏(V)新的宽禁带材料减小电磁干扰(EMI)系统尺寸和重量

发布时间:2021/5/22 17:45:21 访问次数:741

碳化硅 (SiC) MOSFET器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。

设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术，将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源(PSU)、电信和不间断电源(UPS)等应用中实现显著更好的性能。

安森美半导体新的车规AECQ101和工业级合格的650伏(V) SiC MOSFET基于一种新的宽禁带材料，提供比硅更胜一筹的开关性能和更好的热性能，因而提高系统级能效、功率密度，及减小电磁干扰(EMI)、系统尺寸和重量。

产品种类:参考电压RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSSOP-8参考类型:Shunt References输出电压:1.235 V初始准确度:1 %温度系数:150 PPM/C分流电流—最大值:20 mA最小工作温度:0 C最大工作温度:+ 70 C系列:封装:Tube准确性:20 mV描述/功能:MICROPOWER VOLTAGE REFERENCE高度:1.15 mm长度:3 mm产品:Voltage References宽度:4.4 mm商标:Texas Instruments分流电流—最小值:10 uA拓扑结构:Shunt References产品类型:Voltage References150子类别:PMIC - Power Management ICs单位重量:39 mg

NTCLE350E4具有高精度、快速响应和耐高温能力，适用于内燃发动机冷却液、燃料、歧管气体压力（MAP / TMAP）传感器，以及暖通空调（HVAC）应用。

因此，器件热梯度小于0.01 K/K（或1 %），几乎不向周围环境散发热量，可进行高精度温测，优于铜等其他导线材料几个度量级。

为加强高湿度条件下的可靠性，传感器PEEK绝缘引线与封装环氧树脂之间具有高粘合强度。NTC检测芯子最大直径为2.4 mm，空气中快速响应时间为6秒。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）

碳化硅 (SiC) MOSFET器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。

NTCLE350E4具有高精度、快速响应和耐高温能力，适用于内燃发动机冷却液、燃料、歧管气体压力（MAP / TMAP）传感器，以及暖通空调（HVAC）应用。

因此，器件热梯度小于0.01 K/K（或1 %），几乎不向周围环境散发热量，可进行高精度温测，优于铜等其他导线材料几个度量级。

为加强高湿度条件下的可靠性，传感器PEEK绝缘引线与封装环氧树脂之间具有高粘合强度。NTC检测芯子最大直径为2.4 mm，空气中快速响应时间为6秒。

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