三次曝光交错式HDR定时选项提供近红外辐射
发布时间:2021/5/22 13:27:22 访问次数:337
用于QPD 彩色滤光片阵列的片上像素还原算法,可使旗舰和高端智能手机的广角和超广角主摄像头实现出色的图像质量。
OV50A 图像传感器集 1.0 微米大像素尺寸、选择性转换增益的低噪、高转换增益模式以及豪威科技首次用于高端手机传感器的 1/1.5 英寸大尺寸光学格式于一身,可实现优异的弱光性能。
传感器能够通过二次和三次曝光交错式 HDR 定时选项提供出色的 HDR ,并通过选择性转换增益在弱光图像质量和 HDR 之间实现良好的平衡。
光电二极管接收皮肤反射回来的光,将其转换为输出电流,器件提高了灵敏度,可进行更精确的测量。
VEMD8081矩形形状最大化光电二极管感光区,消除一般正方形光电二极管浪费的面积。结合红光和红外发射器,器件适用于医疗监护仪的SpO2测量。
VEMD8081高灵敏度感光面积达5.4 mm2,利用Vishay成熟的晶圆技术,可在较宽光谱范围内,检测350 nm至1100 nm可见光和近红外辐射。
器件开关速度快,容值低至50 pF,适用于高采样率。
用于QPD 彩色滤光片阵列的片上像素还原算法,可使旗舰和高端智能手机的广角和超广角主摄像头实现出色的图像质量。
OV50A 图像传感器集 1.0 微米大像素尺寸、选择性转换增益的低噪、高转换增益模式以及豪威科技首次用于高端手机传感器的 1/1.5 英寸大尺寸光学格式于一身,可实现优异的弱光性能。
传感器能够通过二次和三次曝光交错式 HDR 定时选项提供出色的 HDR ,并通过选择性转换增益在弱光图像质量和 HDR 之间实现良好的平衡。
光电二极管接收皮肤反射回来的光,将其转换为输出电流,器件提高了灵敏度,可进行更精确的测量。
VEMD8081矩形形状最大化光电二极管感光区,消除一般正方形光电二极管浪费的面积。结合红光和红外发射器,器件适用于医疗监护仪的SpO2测量。
VEMD8081高灵敏度感光面积达5.4 mm2,利用Vishay成熟的晶圆技术,可在较宽光谱范围内,检测350 nm至1100 nm可见光和近红外辐射。
器件开关速度快,容值低至50 pF,适用于高采样率。