固件优化实现200K IOPS的稳态随机写入性能固态硬盘产品
发布时间:2021/5/21 12:52:46 访问次数:889
PM9A3 U.2搭载了支持PCIe 4.0技术的的全新控制器和三星第六代3D闪存（V-NAND）技术，并通过固件优化实现了200K IOPS的稳态随机写入性能，同比上一代产品PM983 U.2提升了4倍。
对中国运营数据中心的科技企业而言，随机写入速度尤为重要，相信PM9A3U.2出色的表现，能很好地满足这些客户的需求。
另外，PM9A3 U.2的4K稳态随机读取性能为1100K IOPS，顺序读取速度为6900MB/s，相对上一代产品PM983 U.2分别提升2.2倍和2.16倍。
制造商:Samsung Electro-Mechanics 产品种类:多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 终端:Standard 电容:2.2 uF 电压额定值 DC:25 VDC 电介质:X5R 容差:10 % 外壳代码 - in:0805 外壳代码 - mm:2012 高度:1.35 mm 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 85 C 产品:General Type MLCCs 端接类型:SMD/SMT 系列:CL 长度:2 mm 封装 / 箱体:0805 (2012 metric) 类型:Multilayer Ceramic Capacitor 宽度:1.25 mm 商标:Samsung Electro-Mechanics 电容-nF:2200 nF 类:Class 2 产品类型:Ceramic Capacitors 工厂包装数量:2000 子类别:Capacitors 零件号别名:CL21A225KAFNNN 单位重量:6.400 mg
每瓦304MB/s的顺序写入性能表现中，与前代产品相比，能效比提高了61％。PM9A3 U.2是三星首个采用第六代3D闪存（V-NAND）技术并支持 PCIe4.0的NVMe固态硬盘产品.
符合中国数据中心客户运营所需的特定性能和功耗配置，我们期待着它成为中国数据中心客户的极佳解决方案。
从量产PM9A3 U.2开始，三星半导体将继续加强与全球数据中心客户合作，不断推进新一代存储技术的发展和标准化，以迎接全面开放的5G时代和不断变化的生活方式。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
PM9A3 U.2搭载了支持PCIe 4.0技术的的全新控制器和三星第六代3D闪存（V-NAND）技术，并通过固件优化实现了200K IOPS的稳态随机写入性能，同比上一代产品PM983 U.2提升了4倍。
对中国运营数据中心的科技企业而言，随机写入速度尤为重要，相信PM9A3U.2出色的表现，能很好地满足这些客户的需求。
另外，PM9A3 U.2的4K稳态随机读取性能为1100K IOPS，顺序读取速度为6900MB/s，相对上一代产品PM983 U.2分别提升2.2倍和2.16倍。
制造商:Samsung Electro-Mechanics 产品种类:多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 终端:Standard 电容:2.2 uF 电压额定值 DC:25 VDC 电介质:X5R 容差:10 % 外壳代码 - in:0805 外壳代码 - mm:2012 高度:1.35 mm 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 85 C 产品:General Type MLCCs 端接类型:SMD/SMT 系列:CL 长度:2 mm 封装 / 箱体:0805 (2012 metric) 类型:Multilayer Ceramic Capacitor 宽度:1.25 mm 商标:Samsung Electro-Mechanics 电容-nF:2200 nF 类:Class 2 产品类型:Ceramic Capacitors 工厂包装数量:2000 子类别:Capacitors 零件号别名:CL21A225KAFNNN 单位重量:6.400 mg
每瓦304MB/s的顺序写入性能表现中，与前代产品相比，能效比提高了61％。PM9A3 U.2是三星首个采用第六代3D闪存（V-NAND）技术并支持 PCIe4.0的NVMe固态硬盘产品.
符合中国数据中心客户运营所需的特定性能和功耗配置，我们期待着它成为中国数据中心客户的极佳解决方案。
从量产PM9A3 U.2开始，三星半导体将继续加强与全球数据中心客户合作，不断推进新一代存储技术的发展和标准化，以迎接全面开放的5G时代和不断变化的生活方式。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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