FLEX SUPPRESSOR是种超薄柔性噪声抑制片，旨在减少电磁干扰（EMI）以及其他噪声干扰。

现在，其EFG3和FS两个系列可在更宽的频率范围（高达40GHz频段）内工作，从而提高了FLEX SUPPRESSOR在面向商业、电信和汽车应用的5G联网设备和电子产品中的性能。

FLEX SUPPRESSOR片材采用基美电子创新、专有的EMI吸收材料制成，从而有助于防止噪声引起的损伤、故障以及整个系统的故障产生。

这种柔性聚合物材料所含有的微米级磁性金属薄片，可吸收有害的辐射噪声并将其转化为热量。

制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:4.1 A Rds On-漏源导通电阻:110 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 V Vgs th-栅源极阈值电压:700 mV Qg-栅极电荷:6.6 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:1 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.02 mm 长度:3.04 mm 系列:ZXMN2A1 晶体管类型:1 N-Channel 类型:MOSFET 宽度:1.4 mm 商标:Diodes Incorporated 下降时间:9.5 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:5.3 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:16.6 ns 典型接通延迟时间:4 ns 单位重量:8 mg

PPS可以在3.3V-11V之间以20mV步长逐步调整输出电压值，50mA步长逐步调整限流值，以最大程度地减小充电期间的功率变换损耗。

对于这些应用，同业竞品最高容量仅为1.5nF，Y1额定电压为300 VAC，且没有DC额定电压值。SMDY1系列提高了耐湿性，达到IIB类湿度等级（符合IEC60384-14附件I要求），潮湿敏感度达到2a级。

作为基于MCU的解决方案，该参考设计为用户提供了更多的设计灵活性，可以实现其他的客户定制应用层，引入USB Power Delivery标准的升级改进功能。