低边驱动器用在控制芯片与功率MOSFET之间，以帮助减小开关损耗,并为MOSFET提供足够的驱动电流，以跨过米勒平台区域，实现快速打开。

在开关MOSFET的时候，有一个高di/dt的脉冲产生，这种快速变化与寄生电感共同作用，产生了负电压峰值，可以用Vn = Lss* di/dt公式估算。

在典型的低边栅极驱动电路中，虽然控制器和功率MOSFET使用同一个直流地平面作为参考，但一些情况下，由于驱动器和控制器有一定距离，所以总会存在寄生电感。

新款 Keysight i7090 具有以下重要优势：

配备 20 个并行内核，可提供灵活的可扩展性和配置方式，能够同时对多个被测器件执行测试。

系统体积小，仅宽 600 毫米，为您节省宝贵的测试空间和测试周期。

支持大规模到超大规模电路板检测，可以减少系统投资，改善电路板测试时间。

不上电和无矢量测试技术（VTEP）带来更快的测试速度、更低的夹具成本和更高的故障覆盖率。

仪器与 Keysight OpenTAP软件集成在同一个平台中，可提供高效的功能测试测量；其 PXI 体系结构设计可支持是德科技和第三方的仪器。

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