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负载检测技术集成式快速开关50A IGBT的关断性能

发布时间:2021/5/16 18:59:46 访问次数:311

集成式快速开关50 A IGBT的关断性能优于纯硅解决方案,可与MOSFET媲美。

较之常规的碳化硅MOSFET,这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间,能以更低成本实现95%至97%的系统效率。

此外,CoolSiC肖特基二极管有助于降低导通和恢复损耗。相比纯硅设计而言,该器件是实现硬换向的理想器件,损耗可降低30%。

由于具有较低的冷却要求,该二极管还能降低系统成本,带来极佳的性价比优势。

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)72A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)22 毫欧 @ 44A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μAVgs(最大值)±20VFET 功能-功率耗散(最大值)375W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型表面贴装型供应商器件封装D2PAK封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB漏源电压(Vdss)200V不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)150nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5380pF @ 50V

借助于负载检测技术,对于负载波动的情况,通过变频器自身传感器观察,并做出自适应调节,从而使负载稳定地运行。

PowerFlex 6000T中压变频器可与罗克韦尔自动化控制系统无缝集成,支持统一友好的软件环境Studio5000。

统一的软件平台可以更简单,更快速地对自动化系统设计,集成和维护;此外,该系列变频器配有直观、易用的10英寸彩色触摸屏。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

集成式快速开关50 A IGBT的关断性能优于纯硅解决方案,可与MOSFET媲美。

较之常规的碳化硅MOSFET,这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间,能以更低成本实现95%至97%的系统效率。

此外,CoolSiC肖特基二极管有助于降低导通和恢复损耗。相比纯硅设计而言,该器件是实现硬换向的理想器件,损耗可降低30%。

由于具有较低的冷却要求,该二极管还能降低系统成本,带来极佳的性价比优势。

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)72A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)22 毫欧 @ 44A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μAVgs(最大值)±20VFET 功能-功率耗散(最大值)375W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型表面贴装型供应商器件封装D2PAK封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB漏源电压(Vdss)200V不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)150nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5380pF @ 50V

借助于负载检测技术,对于负载波动的情况,通过变频器自身传感器观察,并做出自适应调节,从而使负载稳定地运行。

PowerFlex 6000T中压变频器可与罗克韦尔自动化控制系统无缝集成,支持统一友好的软件环境Studio5000。

统一的软件平台可以更简单,更快速地对自动化系统设计,集成和维护;此外,该系列变频器配有直观、易用的10英寸彩色触摸屏。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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