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双引导功能和通用功能的硬化版本包括SPI控制器

发布时间:2021/5/14 23:27:09 访问次数:223

基于LUT,低成本可编逻辑这些器件具有嵌入区块RAM(EBR),分布式RAM,用户闪存(UFM),锁相环(PLL),支持预工程源同步I/O,支持先进的配置包括双引导功能和通用功能的硬化版本包括SPI控制器,I2C 控制器和计时器/计数器.

这些特性使得这些器件可用在低成本量大的消费类和系统应用.

MachXO2系列产品采用65nm非易失低功耗工艺,器件的架构有几个特性如可编低摆动差分I/O和能够关断I/O 组(bank),片上PLL和动态振荡器.

制造商:NXP 产品种类:电池管理 RoHS: 详细信息 产品:Charge Management 电池类型:Li-Ion 输出电压:5 V 输出电流:5 mA 工作电源电压:6 V to 30 V 封装 / 箱体:LQFP-48 安装风格:SMD/SMT 系列:MC33772 封装:Tray 商标:NXP Semiconductors 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 湿度敏感性:Yes 工作电源电流:8 mA 产品类型:Battery Management 工厂包装数量:250 子类别:PMIC - Power Management ICs 零件号别名:935359123557 单位重量:189.009 mg

i.MX RT1170是i.MXRT系列产品的新高端处理器,集成了高性能工作高达1GHz的ArmCortex®-M7核和工作高达400MHz的能效Cortex®-M4核.

MachXO2系列是超低功耗非易失PLD器件,共有六个器件,查找表(LUT)从256到6864.

 i.MX RT1170处理器有2MB片上RAM,包括可灵活配置TCM(和M7 TCM共享的512KB RAM 以及和M4 TCM共享的256KB RAM) 768KB RAM或通用片上RAM.

器件集成了先进的功率管理模块和DC/DC与LDO稳压器,降低了外部电源的复杂性,简化了加电次序.

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)



基于LUT,低成本可编逻辑这些器件具有嵌入区块RAM(EBR),分布式RAM,用户闪存(UFM),锁相环(PLL),支持预工程源同步I/O,支持先进的配置包括双引导功能和通用功能的硬化版本包括SPI控制器,I2C 控制器和计时器/计数器.

这些特性使得这些器件可用在低成本量大的消费类和系统应用.

MachXO2系列产品采用65nm非易失低功耗工艺,器件的架构有几个特性如可编低摆动差分I/O和能够关断I/O 组(bank),片上PLL和动态振荡器.

制造商:NXP 产品种类:电池管理 RoHS: 详细信息 产品:Charge Management 电池类型:Li-Ion 输出电压:5 V 输出电流:5 mA 工作电源电压:6 V to 30 V 封装 / 箱体:LQFP-48 安装风格:SMD/SMT 系列:MC33772 封装:Tray 商标:NXP Semiconductors 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 湿度敏感性:Yes 工作电源电流:8 mA 产品类型:Battery Management 工厂包装数量:250 子类别:PMIC - Power Management ICs 零件号别名:935359123557 单位重量:189.009 mg

i.MX RT1170是i.MXRT系列产品的新高端处理器,集成了高性能工作高达1GHz的ArmCortex®-M7核和工作高达400MHz的能效Cortex®-M4核.

MachXO2系列是超低功耗非易失PLD器件,共有六个器件,查找表(LUT)从256到6864.

 i.MX RT1170处理器有2MB片上RAM,包括可灵活配置TCM(和M7 TCM共享的512KB RAM 以及和M4 TCM共享的256KB RAM) 768KB RAM或通用片上RAM.

器件集成了先进的功率管理模块和DC/DC与LDO稳压器,降低了外部电源的复杂性,简化了加电次序.

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)



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