无线系统级芯片(SoC)5G射频同步集成解决方案
发布时间:2021/5/14 0:20:18 访问次数:413
小型蜂窝基站和MIMO基站解决方案使用相互兼容的器件，以降低风险并加快产品上市速度。新型RF时钟IC与瑞萨微控制器、电源管理产品完美结合，加速解决方案设计。
凭借在硅时钟市场的丰富经验，瑞萨电子打造了“一站式”时钟解决方案，提供从全功能系统解决方案到简单的时钟模块器件的专业知识和产品。
EFR32MG21B是Gecko多协议无线SoC系列产品,组合了80 MHz ARM Cortex-M33,高性能2.4GHz无线电,而集成的安全库提供高度安全能效的无线系统级芯片(SoC)用于物联网(IoT)的连接应用.
制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:120 V Id-连续漏极电流:40 A Rds On-漏源导通电阻:32 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:150 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Tube 配置:Single 高度:9.15 mm 长度:10.4 mm 系列: 晶体管类型:1 N-Channel 类型:MOSFET 宽度:4.6 mm 商标:STMicroelectronics 正向跨导 - 最小值:40 S 下降时间:28 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:63 ns 1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:84 ns 典型接通延迟时间:28 ns 单位重量:1.438 g
8V19N850射频时钟同步器是业界首款5G射频同步集成解决方案，具备在单芯片进行射频同步的完整功能，同时符合ITU-T G.8273.2 T-BC/T-TSC Class C、ITU-T G.8262.1增强版SyncE和JESD204B/C等全套规范。
大多数GNSS或资产跟踪应用的耐用型、高性能、高性价比解决方案。
Laird Connectivity Mini GNSS具有覆盖1559MHz – 1606MHz频率的圆极化功能，并且其2级滤波可对蜂窝频段进行80dB以上的隔离，从而实现出色的带外抑制。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
小型蜂窝基站和MIMO基站解决方案使用相互兼容的器件，以降低风险并加快产品上市速度。新型RF时钟IC与瑞萨微控制器、电源管理产品完美结合，加速解决方案设计。
凭借在硅时钟市场的丰富经验，瑞萨电子打造了“一站式”时钟解决方案，提供从全功能系统解决方案到简单的时钟模块器件的专业知识和产品。
EFR32MG21B是Gecko多协议无线SoC系列产品,组合了80 MHz ARM Cortex-M33,高性能2.4GHz无线电,而集成的安全库提供高度安全能效的无线系统级芯片(SoC)用于物联网(IoT)的连接应用.
制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:120 V Id-连续漏极电流:40 A Rds On-漏源导通电阻:32 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:150 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Tube 配置:Single 高度:9.15 mm 长度:10.4 mm 系列: 晶体管类型:1 N-Channel 类型:MOSFET 宽度:4.6 mm 商标:STMicroelectronics 正向跨导 - 最小值:40 S 下降时间:28 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:63 ns 1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:84 ns 典型接通延迟时间:28 ns 单位重量:1.438 g
8V19N850射频时钟同步器是业界首款5G射频同步集成解决方案，具备在单芯片进行射频同步的完整功能，同时符合ITU-T G.8273.2 T-BC/T-TSC Class C、ITU-T G.8262.1增强版SyncE和JESD204B/C等全套规范。
大多数GNSS或资产跟踪应用的耐用型、高性能、高性价比解决方案。
Laird Connectivity Mini GNSS具有覆盖1559MHz – 1606MHz频率的圆极化功能，并且其2级滤波可对蜂窝频段进行80dB以上的隔离，从而实现出色的带外抑制。
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