小型封装内高性能n沟道沟槽式MOSFET和PWM控制器
发布时间:2021/5/13 18:13:45 访问次数:181
小型紧凑的占位面积安装扩展了爬电距离,允许两个功率FREDFET通过PCB进行散热.
BridgeSwitch系列提供内部故障保护功能和外部系统电平监测.内部故障保护包括用于两个功率FREDFET和两级热过载保护的逐个周期的电流限制.
外部系统电平监测包括带有四个欠压电平和一个过压电平以及驱动外部传感器如NTC的DC总线检测.
全集成的半桥级效率高达99.2%,主要用在1或3相高压PM和BLDC马达驱动,高达400W逆变器输出功率,包括洗碗机和电冰雪的家用电器,高效空调的冷凝器风扇.
FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）3.3 毫欧 @ 15A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250μAVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）3W（Ta），6W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽）漏源电压（Vdss）30V不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）125nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）5370pF @ 15V
新型15 A、25 A和 40 A系列器件---SiC45x系列，扩充其microBUCK®同步降压稳压器，新型器件采用热增强5mmx7mm PowerPAK® MLP34-57封装，输入电压为4.5 V~ 20 V。
稳压器静态工作电流低，峰值效率达98 %，减少功率损耗。
Vishay Siliconix SiC45x系列稳压器符合PMBus 1.3电源系统管理标准，功率密度和瞬变响应能力优于前代稳压器。
日前发布的器件在小型封装内含有高性能n沟道沟槽式MOSFET和PWM控制器，提高了功率密度。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
小型紧凑的占位面积安装扩展了爬电距离,允许两个功率FREDFET通过PCB进行散热.
BridgeSwitch系列提供内部故障保护功能和外部系统电平监测.内部故障保护包括用于两个功率FREDFET和两级热过载保护的逐个周期的电流限制.
外部系统电平监测包括带有四个欠压电平和一个过压电平以及驱动外部传感器如NTC的DC总线检测.
全集成的半桥级效率高达99.2%,主要用在1或3相高压PM和BLDC马达驱动,高达400W逆变器输出功率,包括洗碗机和电冰雪的家用电器,高效空调的冷凝器风扇.
FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）3.3 毫欧 @ 15A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250μAVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）3W（Ta），6W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽）漏源电压（Vdss）30V不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）125nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）5370pF @ 15V
新型15 A、25 A和 40 A系列器件---SiC45x系列，扩充其microBUCK®同步降压稳压器，新型器件采用热增强5mmx7mm PowerPAK® MLP34-57封装，输入电压为4.5 V~ 20 V。
稳压器静态工作电流低，峰值效率达98 %，减少功率损耗。
Vishay Siliconix SiC45x系列稳压器符合PMBus 1.3电源系统管理标准，功率密度和瞬变响应能力优于前代稳压器。
日前发布的器件在小型封装内含有高性能n沟道沟槽式MOSFET和PWM控制器，提高了功率密度。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-6集成 MPPT 算法 DC-DC 芯片产品应用概述
- 5-6PMU 芯片、AI 电源管理芯片优特点及用途分析
- 5-6单芯片高像素CIS架构3,200 万像素图像传感器
- 5-6UFS主控芯片WM7000系列应用详情
- 5-6模拟芯片与互联芯片市场布局走势及应用前景探究
- 5-6存储芯片市场布局驱动芯片与智能卡芯片产品发展趋势分析
- 5-5新一代至强处理器Clearwater
- 5-5Ti2AlSnC MAX米纤维膜光热层光热蒸发器
- 5-5Foveros Direct和 EMIB（2.5D桥接）技术详解
- 5-518A-PT工艺先进3D封装技术应用研究
- 5-5新一代超薄中长距激光雷达EMX
- 5-5激光雷达+双英伟达Thor芯片（算力1400TOPS）探究
公网安备44030402000607
