ROHM通过采用自有的结构，成功地将栅极-源极间的额定电压从常规的6V提高到了业内超高的8V。ADAQ23875 μModule®数据采集解决方案(DAQ)。

ADAQ23875采用系统级封装 (SIP) 技术，通过将多个通用信号处理和调理模块整合在一个器件中，减少了终端系统元件数量，缩短了精密测量系统开发周期。

Analog Devices ADAQ23875 DAQ集成低噪声全差分模数转换器 (ADC) 驱动器、稳定的参考缓冲器和16位高速15 MSPS逐次逼近寄存器 (SAR) ADC。

制造商:Rectron 产品种类:稳压二极管 Vz - 齐纳电压:13 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 Pd-功率耗散:350 mW 电压温度系数:11 mV/C Zz - 齐纳阻抗:30 Ohms 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 配置:Single 测试电流:5 mA 封装:Reel 高度:1.1 mm 长度:3.05 mm 宽度:1.4 mm 商标:Rectron Ir - 反向电流 :0.1 uA 产品类型:Zener Diodes 工厂包装数量3000 子类别:Diodes & Rectifiers Vf - 正向电压:900 mV

数据中心和基站等的48V输入降压转换器电路基站功率放大器单元的升压转换器电路 D类音频放大器 LiDAR驱动电路、便携式设备的无线充电电路.

GaN（氮化镓）是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料硅相比，具有更优异的物理性能，目前利用其高频特性的应用已经开始增加。

可以在栅极和源极之间施加的最大电压。工作所需的电压称为“驱动电压”，当施加了高于特定阈值的电压时，GaN HEMT将处于被动工作状态。