VPX堆叠连接器使用了业界公认的MULTIGIG RT 2-R压配接触系统。该连接器经过精心设计，具有通用性，可以填充全部和部分插槽外形坚固，可满足行业需求。

还可选择预装或单独提供散热片，以允许设计者在首选的情况下使用传统对流或强制空气冷却。

该系列有五种型号可选，提供12.0V、15.0V、24.0V、36.0V或48.0V的单输出电压。高达90%的效率水平可最大限度地减少不必要的热量产生，并在一个仅为2.28英寸x 2.40英寸x 0.67英寸（57.9毫米x 61.0毫米x 17.0毫米）的工业标准半砖封装内实现20W/in3的出色功率密度。

制造商:Micron Technology 产品种类:NOR闪存 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WDFN-8 系列: 存储容量:256 Mbit 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:3.6 V 有源读取电流（最大值）:35 mA 接口类型:SPI 最大时钟频率:133 MHz 组织:32 M x 8 数据总线宽度:8 bit 定时类型:Synchronous 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 速度:133 MHz 商标:Micron 电源电流—最大值:35 mA 湿度敏感性:Yes 产品类型:NOR Flash 1920 子类别:Memory & Data Storage 单位重量:2.592 g

ROHM利用自有的结构，成功地将栅极-源极间额定电压从常规的6V提高到了8V，这将有助于提高采用高效率的GaN器件的电源电路的设计裕度和可靠性。

采用这种封装不仅可以通过更低的寄生电感更好地发挥出器件的性能，还使产品更易于在电路板上安装并具有更出色散热性，从而可以使现有硅器件的替换和安装工序中的操作更轻松。

ROHM将加快使用该技术的GaN器件开发速度，预计于2021年9月即可开始提供产品样品。采用ROHM自有结构，将栅极-源极间额定电压提高至8V.

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）