SiC元器件和硅元器件的开发与量产源极间额定电压
发布时间:2021/5/10 19:19:49 访问次数:677
电源电路，开发出针对150V耐压GaN HEMT*1（以下称“GaN器件”）的、高达8V的栅极耐压（栅极-源极间额定电压）*2技术。
近年来，在服务器系统等领域，由于IoT设备的需求日益增长，功率转换效率的提升和设备的小型化已经成为重要的社会课题之一，而这就要求功率元器件的进一步发展与进步。
ROHM一直在大力推动业内先进的SiC元器件和各种具有优势的硅元器件的开发与量产，以及在中等耐压范围具有出色的高频工作性能的GaN器件的开发。
ASB75系列的空载电流损耗功率小于150mW，大大减少了终端设备的备用电源需求，使其能够满足具有挑战性的现代效率标准。
产品的电磁兼容性符合安规标准，无需外部组件可符合EN55032 B级传导和辐射标准，并提供抗扰度以满足EN61000-4标准。安规符合UL/EN/IEC62368-1标准。
ASB75产品的基板工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种应用环境，而全封装提高了恶劣环境和需要坚固设备的应用中的可靠性。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
电源电路，开发出针对150V耐压GaN HEMT*1（以下称“GaN器件”）的、高达8V的栅极耐压（栅极-源极间额定电压）*2技术。
近年来，在服务器系统等领域，由于IoT设备的需求日益增长，功率转换效率的提升和设备的小型化已经成为重要的社会课题之一，而这就要求功率元器件的进一步发展与进步。
ROHM一直在大力推动业内先进的SiC元器件和各种具有优势的硅元器件的开发与量产，以及在中等耐压范围具有出色的高频工作性能的GaN器件的开发。
ASB75系列的空载电流损耗功率小于150mW，大大减少了终端设备的备用电源需求，使其能够满足具有挑战性的现代效率标准。
产品的电磁兼容性符合安规标准，无需外部组件可符合EN55032 B级传导和辐射标准，并提供抗扰度以满足EN61000-4标准。安规符合UL/EN/IEC62368-1标准。
ASB75产品的基板工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种应用环境，而全封装提高了恶劣环境和需要坚固设备的应用中的可靠性。
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