CISSOID提供的高温芯片和模块技术，已在石油钻探等领域内的长期应用中得到了充分的验证，可以满足业内最苛刻的应用需求。

而新型AS5851B则在功率和速度的优化之间实现了平衡。

传感器模块可接收峰值波长为940 nm的发射器的红外脉冲，工作电压2.5 V~5.5 V，供电电流低至0.7 mA，对38 kHz载波频率敏感。器件对电源电压纹波噪声不敏感，可屏蔽EMI，日光滤光片可抑制可见光。传感器模块符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。

制造商:Nexperia 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:190 mA Rds On-漏源导通电阻:4.5 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V Qg-栅极电荷:0.33 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:325 mW 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 晶体管类型:1 N-Channel Trench MOSFET 商标:Nexperia 下降时间:5 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:7 ns 工厂包装数量10000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:11 ns 典型接通延迟时间:6 ns 零件号别名:934066291235 单位重量:32 mg

AS585xB系列提供三种产品型号。AS5850B在低噪声和高速度方面进行了优化，使FPD能够在动态或高速影像应用（如外科X射线拍摄）中获取高质量的影像，同时降低辐射剂量，将患者影响降至最低。

同样对于工业扫描应用，AS5850B优化后的线扫描时间为20μs，但可以在低至15μs的速度下运行，这种高速度性能可提高自动化光学检测设备的吞吐量。

同样在今天推出的AS5852B在低功耗运行方面进行了优化，使电池供电的便携式成像设备能够在延长电池使用时间的同时获取高质量的影像。