2Mbit AT25EU0021A在10ms以内执行整颗芯片的擦除
发布时间:2021/5/8 13:19:33 访问次数:324
功率模块的额定结温为175°C，而栅极驱动器的额定环境温度为125°C，通过AlSiC扁平底板冷却，热阻较低、耐热性强。
CISSOID 实现了功率模块和栅极驱动器的整体融合设计，且可通过仔细调整dv/dt去实现控制，通过快速切换所固有的电压过冲来优化IPM，从而将开关能量损耗降至最低。
模块的安全运行区域（RBSOA）允许直流总线电压高达880V、峰值电流高达600A，从而使得800V电池电压系统的应用是绝对安全的。
制造商:ROHM Semiconductor 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-723-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:200 mA Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 V Pd-功率耗散:150 mW 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:0.5 mm 长度:1.2 mm 产品:MOSFET Small Signal 系列: 晶体管类型:1 P-Channel 类型:MOSFET 宽度:0.8 mm 商标:ROHM Semiconductor 下降时间:6 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:6 ns 8000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:35 ns 典型接通延迟时间:9 ns 零件号别名:RTM002P02 单位重量:1 mg
2Mbit AT25EU0021A可在10ms以内执行整颗芯片的擦除，而消耗的电能低于竞争方案所需的1%。竞争方案可能需要整整1秒或更长的时间来执行相同的操作。
实现更快、功耗更低的擦除操作，可以提升设备的软件无线更新（OTA）、事件跟踪、数据记录活动等功能的效率。
SPI NOR Flash系列产品实现的突破性低能耗和高性能，印证了Dialog致力于提升IoT设备性能同时降低功耗和成本的承诺。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
功率模块的额定结温为175°C，而栅极驱动器的额定环境温度为125°C，通过AlSiC扁平底板冷却，热阻较低、耐热性强。
CISSOID 实现了功率模块和栅极驱动器的整体融合设计，且可通过仔细调整dv/dt去实现控制，通过快速切换所固有的电压过冲来优化IPM，从而将开关能量损耗降至最低。
模块的安全运行区域（RBSOA）允许直流总线电压高达880V、峰值电流高达600A，从而使得800V电池电压系统的应用是绝对安全的。
制造商:ROHM Semiconductor 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-723-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:200 mA Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 V Pd-功率耗散:150 mW 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:0.5 mm 长度:1.2 mm 产品:MOSFET Small Signal 系列: 晶体管类型:1 P-Channel 类型:MOSFET 宽度:0.8 mm 商标:ROHM Semiconductor 下降时间:6 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:6 ns 8000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:35 ns 典型接通延迟时间:9 ns 零件号别名:RTM002P02 单位重量:1 mg
2Mbit AT25EU0021A可在10ms以内执行整颗芯片的擦除，而消耗的电能低于竞争方案所需的1%。竞争方案可能需要整整1秒或更长的时间来执行相同的操作。
实现更快、功耗更低的擦除操作，可以提升设备的软件无线更新（OTA）、事件跟踪、数据记录活动等功能的效率。
SPI NOR Flash系列产品实现的突破性低能耗和高性能，印证了Dialog致力于提升IoT设备性能同时降低功耗和成本的承诺。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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