三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块(IPM)的异常发热点
发布时间:2021/5/8 13:15:07 访问次数:800
一种基于轻质AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM），以满足航空和其他特殊工业应用中针对自然空气对流或背板冷却的需求。
此项高温芯片和模块技术平台亦将大力推动电动汽车动力总成系统（电机、电控及变速箱)的深度整合,以使其体积、重量及相应成本大幅降低，并实现最佳能源效率。
CISSOID的IPM技术平台可迅速适应新的电压、功率和冷却要求，极大地加速了基于SiC的功率转换器的设计，从而实现了高效率和高功率密度。
2kW及更高功率的服务器电源应用，使用传统硅器件来实现这种性能水平，电路设计复杂而具有挑战性。Nexperia新的功率GaN FET非常适合简洁的无桥图腾柱PFC电路，使用更少的器件，并能减少尺寸和系统成本。
模块的额定阻断电压为1200V，最大连续电流为340A.
FLIR T560拥有卓越的红外分辨率（640*480）非常适合远距离大范围扫描，配备各种先进的功能，有助于专业人员排查发电、输配电及制造设备中的异常发热点，及时定位隐患和安排维护工作。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
一种基于轻质AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM），以满足航空和其他特殊工业应用中针对自然空气对流或背板冷却的需求。
此项高温芯片和模块技术平台亦将大力推动电动汽车动力总成系统（电机、电控及变速箱)的深度整合,以使其体积、重量及相应成本大幅降低，并实现最佳能源效率。
CISSOID的IPM技术平台可迅速适应新的电压、功率和冷却要求，极大地加速了基于SiC的功率转换器的设计，从而实现了高效率和高功率密度。
2kW及更高功率的服务器电源应用，使用传统硅器件来实现这种性能水平，电路设计复杂而具有挑战性。Nexperia新的功率GaN FET非常适合简洁的无桥图腾柱PFC电路，使用更少的器件，并能减少尺寸和系统成本。
模块的额定阻断电压为1200V，最大连续电流为340A.
FLIR T560拥有卓越的红外分辨率（640*480）非常适合远距离大范围扫描，配备各种先进的功能，有助于专业人员排查发电、输配电及制造设备中的异常发热点，及时定位隐患和安排维护工作。
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