PCIe® 3.0 数据包切换器PI7C9X3G808GP，能够提供现代数据中心、云端运算、网络附加储存设备 (NAS) 和电信基础设施所要求的高效能参数。

这款数据包切换器支持 8 通道操作，支持 2、3、4、5和 8 端口配置。可利用直通 (cut-through) 及储存和转发 (store and forward) 模式，支持小于 150ns (典型值) 的数据包转发延迟。

切换器中嵌入了多个直接内存访问 (DMA) 通道，尽量提高单一主机 (或多部主机) 与相连的端点之间通讯作业效率。

制造商:Diodes Incorporated 产品种类:稳压二极管 Vz - 齐纳电压:20 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 Pd-功率耗散:350 mW 电压容差:2 % 电压温度系数:12.5 mV/C 齐纳电流:0.1 uA Zz - 齐纳阻抗:55 Ohms 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 配置:Single 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1 mm 长度:2.9 mm 宽度:2.4 mm 商标:Diodes Incorporated Ir - 反向电流 :0.1 uA 产品类型:Zener Diodes 工厂包装数量3000 子类别:Diodes & Rectifiers Vf - 正向电压:900 mV 单位重量:8 mg

第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。

与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS)，特别是必须满足80 PLUS®钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。

全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封装，对于给定RDS(on)值，芯片尺寸缩小36%，具有更好的稳定性和效率。

级联配置无需复杂的驱动电路，加快了产品上市速度。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）