单片微波集成电路(MMIC)密度充分发挥GaN的特性
发布时间:2021/5/5 18:59:07 访问次数:369
GaN能够帮助雷达设计者克服功率、散热、重量和尺寸、以及成本效益等诸多挑战，其具备宽的能带隙，拥有极高的临界击穿电场.
具备出色的高温可靠性、出众的高供电电压下的鲁棒性，以及优异的功率密度。
将碳化硅（SiC）作为 GaN的衬底，能实现较低的热膨胀、较低的晶格失配，以及出色的热导率，进而充分发挥GaN 的特性。
单片微波集成电路（MMIC）能将多个元件的完整功能模块制造在单个设备中，进而提高电路密度。
制造商:Micron Technology 产品种类:NOR闪存 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOP2-16 系列: 存储容量:256 Mbit 电源电压-最小:1.7 V 电源电压-最大:2 V 有源读取电流（最大值）:20 mA 接口类型:SPI 最大时钟频率:108 MHz 组织:32 M x 8 数据总线宽度:8 bit 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 存储类型:NOR 速度:108 MHz 结构:Uniform 商标:Micron 电源电流—最大值:20 mA 产品类型:NOR Flash 1000 子类别:Memory & Data Storage
这些器件专为汽车应用而设计，比AEC-Q101的要求高出两倍。
器件支持广泛的接口标准，包括USB 2.0、超高速USB (10 Gbps)、HDMI 2.0、HDBaseT以及车辆中越来越多的汽车A/V监视器、显示器和摄像头。
电子含量在整个车辆中的应用正在迅速增长，加上对高数据速率的需求，高端A/V应用中常见的接口正变得越来越普遍。
由于电气化程度的提高，车辆正处于电气噪声环境中，这些敏感的接口需要高性能ESD的保护。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
GaN能够帮助雷达设计者克服功率、散热、重量和尺寸、以及成本效益等诸多挑战，其具备宽的能带隙，拥有极高的临界击穿电场.
具备出色的高温可靠性、出众的高供电电压下的鲁棒性，以及优异的功率密度。
将碳化硅（SiC）作为 GaN的衬底，能实现较低的热膨胀、较低的晶格失配，以及出色的热导率，进而充分发挥GaN 的特性。
单片微波集成电路（MMIC）能将多个元件的完整功能模块制造在单个设备中，进而提高电路密度。
制造商:Micron Technology 产品种类:NOR闪存 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOP2-16 系列: 存储容量:256 Mbit 电源电压-最小:1.7 V 电源电压-最大:2 V 有源读取电流（最大值）:20 mA 接口类型:SPI 最大时钟频率:108 MHz 组织:32 M x 8 数据总线宽度:8 bit 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 存储类型:NOR 速度:108 MHz 结构:Uniform 商标:Micron 电源电流—最大值:20 mA 产品类型:NOR Flash 1000 子类别:Memory & Data Storage
这些器件专为汽车应用而设计，比AEC-Q101的要求高出两倍。
器件支持广泛的接口标准，包括USB 2.0、超高速USB (10 Gbps)、HDMI 2.0、HDBaseT以及车辆中越来越多的汽车A/V监视器、显示器和摄像头。
电子含量在整个车辆中的应用正在迅速增长，加上对高数据速率的需求，高端A/V应用中常见的接口正变得越来越普遍。
由于电气化程度的提高，车辆正处于电气噪声环境中，这些敏感的接口需要高性能ESD的保护。
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