超高特性的IGBT IPM系列产品适用于B等级与BF等级医疗设备

发布时间:2021/5/5 16:28:31 访问次数:433

输入与输出隔离为4kVac (2 x MoPP), 输入与地隔离为 2kVac (1 x MoPP) ,输出与地隔离为1.5kVac (1 x MoPP) , 适用于B等级与BF等级医疗设备。

对地漏电流小于200uA, 接触漏电流小于50μA,高达5,000m工作海拔。

该产品取得IEC/EN/UL/CSA 60601-1与IEC/EN/UL/CSA 62368-1(申请中)安规认证, 带有符合低压、EMC和ROHS2指令的CE标志。符合EN 55011-B 与EN 55032-B (传导与辐射) , 并满足EN 61000-3-2 谐波, IEC 60601-1-2第四版与IEC 61000-4抗扰度标准。

制造商:NXP产品种类:逻辑门产品:Single-Function Gate逻辑功能:NAND逻辑系列:HEF4000栅极数量:4 Gate输入线路数量:2 Input输出线路数量:1 Output高电平输出电流:- 3.6 mA低电平输出电流:3.6 mA传播延迟时间:185 ns电源电压-最大:15 V电源电压-最小:3 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-14封装:Bulk功能:NAND高度:1.45 mm输入类型:Schmitt Trigger长度:8.75 mm宽度:4 mm商标:NXP Semiconductors逻辑类型:CMOS工作电源电压:3.3 V, 5 V, 9 V, 12 V产品类型:Logic Gates子类别:Logic ICs单位重量:338 mg

在IGBT IPM的开发中，为了降低功耗通常会优先考虑低损耗，致使产品噪声特性恶化的情况较多，这就需要改善噪声特性。ROHM新开发出四款可同时降低辐射噪声和功率损耗、并在这两方面均实现了业内超高特性的IGBT IPM系列产品。

开发的新产品通过优化内置FRD（Fast Recovery Diode，快速恢复二极管）的软恢复性能和内置IGBT，与普通产品相比，辐射噪声降低6dB以上（峰值比较时），这使得削减以往所需的噪声滤波器成为可能。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）

输入与输出隔离为4kVac (2 x MoPP), 输入与地隔离为 2kVac (1 x MoPP) ,输出与地隔离为1.5kVac (1 x MoPP) , 适用于B等级与BF等级医疗设备。

对地漏电流小于200uA, 接触漏电流小于50μA,高达5,000m工作海拔。

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超高特性的IGBT IPM系列产品适用于B等级与BF等级医疗设备

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