典型的组合线性控制斜率为16dB/V 44.7dB的总衰减
发布时间:2021/5/4 23:29:00 访问次数:893
10MHz-500MHz频率的双路通用模拟可变电压衰减器(VVA),设计用于50欧姆系统,包括专用控制电路,提供22.4dB衰减,典型线性控制斜率为8dB/V.
两个衰减器采用共同的确模拟控制,可以级联起来以得到44.7dB的总衰减,典型的组合线性控制斜率为16dB/V(5V工作).
数字X射线平板式探测仪（FPD）的一流读取IC家族推出了新产品--- AS585xB系列，该系列器件为客户提供了全新的灵活连接器选项，更降低了其整合到系统中的成本。
制造商:Micron Technology 产品种类:NOR闪存 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOP2-16 系列: 存储容量:64 Mbit 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:3.6 V 有源读取电流（最大值）:15 mA 接口类型:SPI 最大时钟频率:108 MHz 组织:8 M x 8 数据总线宽度:8 bit 定时类型:Synchronous 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 存储类型:NOR 速度:108 MHz 商标:Micron 电源电流—最大值:15 mA 产品类型:NOR Flash 标准:Not Supported 1000 子类别:Memory & Data Storage
33V高工作电压允许采用双极电源来有效地驱动IGBT和SiC功率FET.UCC23511-Q1能驱动高边和低边功率FET.
引脚对引脚替代光隔离栅极驱动器,12V VCC UVLO, 轨到轨输出,最大传输时延为105ns,部件间延时失配最大为25ns,脉宽失真最大为35ns,共模瞬态免疫度(CMTI)大于150-kV/μs,隔离阻挡层寿命大于50年.工作结温为–40C 到+150C.5.7-kVRMS隔离1分钟per UL 1577.
主要用在EV的牵引逆变器,车载充电器和DC充电站,HVAC,加热器和工业马达控制驱动.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
10MHz-500MHz频率的双路通用模拟可变电压衰减器(VVA),设计用于50欧姆系统,包括专用控制电路,提供22.4dB衰减,典型线性控制斜率为8dB/V.
两个衰减器采用共同的确模拟控制,可以级联起来以得到44.7dB的总衰减,典型的组合线性控制斜率为16dB/V(5V工作).
数字X射线平板式探测仪（FPD）的一流读取IC家族推出了新产品--- AS585xB系列，该系列器件为客户提供了全新的灵活连接器选项，更降低了其整合到系统中的成本。
制造商:Micron Technology 产品种类:NOR闪存 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOP2-16 系列: 存储容量:64 Mbit 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:3.6 V 有源读取电流（最大值）:15 mA 接口类型:SPI 最大时钟频率:108 MHz 组织:8 M x 8 数据总线宽度:8 bit 定时类型:Synchronous 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 存储类型:NOR 速度:108 MHz 商标:Micron 电源电流—最大值:15 mA 产品类型:NOR Flash 标准:Not Supported 1000 子类别:Memory & Data Storage
33V高工作电压允许采用双极电源来有效地驱动IGBT和SiC功率FET.UCC23511-Q1能驱动高边和低边功率FET.
引脚对引脚替代光隔离栅极驱动器,12V VCC UVLO, 轨到轨输出,最大传输时延为105ns,部件间延时失配最大为25ns,脉宽失真最大为35ns,共模瞬态免疫度(CMTI)大于150-kV/μs,隔离阻挡层寿命大于50年.工作结温为–40C 到+150C.5.7-kVRMS隔离1分钟per UL 1577.
主要用在EV的牵引逆变器,车载充电器和DC充电站,HVAC,加热器和工业马达控制驱动.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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