数据包切换器PI7C9X3G808GP整合式缓冲器具低功耗操作
发布时间:2021/5/4 22:53:10 访问次数:794
PCIe® 3.0 数据包切换器PI7C9X3G808GP，能够提供现代数据中心、云端运算、网络附加储存设备 (NAS) 和电信基础设施所要求的高效能参数。
这款数据包切换器支持 8 通道操作，支持 2、3、4、5和 8 端口配置。可利用直通 (cut-through) 及储存和转发 (store and forward) 模式，支持小于 150ns (典型值) 的数据包转发延迟。
此整合式缓冲器具低功耗操作特色，成为业界独一无二的产品。可以使用三种参考频率选项：通用、独立参考无扩频 (SRNS) 及独立参考扩频 (SRIS)。
制造商:Vishay 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-8 晶体管极性:N-Channel 通道数量:2 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:8.5 A Rds On-漏源导通电阻:19.5 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V Qg-栅极电荷:14.5 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:3.1 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Dual 高度:1.75 mm 长度:4.9 mm 系列: 晶体管类型:2 N-Channel 宽度:3.9 mm 商标:Vishay Semiconductors 正向跨导 - 最小值:27 S 下降时间:7 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:10 ns 2500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:15 ns 典型接通延迟时间:7 ns 零件号别名:SI4920DY-T1-E3-S 单位重量:506.600 mg
器件具有硬件安全引擎(HSE)和先进的功能安全性硬件和软件,工作温度-40C 到105C ,满足规范AEC-Q100 Grade 2.
器件有助于加速开发先进驾驶辅助系统(ADAS)和自主驾驶系统,并支持用于服务取向的网关,ECU整合和安全应用的高级操作系统.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
PCIe® 3.0 数据包切换器PI7C9X3G808GP，能够提供现代数据中心、云端运算、网络附加储存设备 (NAS) 和电信基础设施所要求的高效能参数。
这款数据包切换器支持 8 通道操作，支持 2、3、4、5和 8 端口配置。可利用直通 (cut-through) 及储存和转发 (store and forward) 模式，支持小于 150ns (典型值) 的数据包转发延迟。
此整合式缓冲器具低功耗操作特色，成为业界独一无二的产品。可以使用三种参考频率选项：通用、独立参考无扩频 (SRNS) 及独立参考扩频 (SRIS)。
制造商:Vishay 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-8 晶体管极性:N-Channel 通道数量:2 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:8.5 A Rds On-漏源导通电阻:19.5 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V Qg-栅极电荷:14.5 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:3.1 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Dual 高度:1.75 mm 长度:4.9 mm 系列: 晶体管类型:2 N-Channel 宽度:3.9 mm 商标:Vishay Semiconductors 正向跨导 - 最小值:27 S 下降时间:7 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:10 ns 2500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:15 ns 典型接通延迟时间:7 ns 零件号别名:SI4920DY-T1-E3-S 单位重量:506.600 mg
器件具有硬件安全引擎(HSE)和先进的功能安全性硬件和软件,工作温度-40C 到105C ,满足规范AEC-Q100 Grade 2.
器件有助于加速开发先进驾驶辅助系统(ADAS)和自主驾驶系统,并支持用于服务取向的网关,ECU整合和安全应用的高级操作系统.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-6集成 MPPT 算法 DC-DC 芯片产品应用概述
- 5-6PMU 芯片、AI 电源管理芯片优特点及用途分析
- 5-6单芯片高像素CIS架构3,200 万像素图像传感器
- 5-6UFS主控芯片WM7000系列应用详情
- 5-6模拟芯片与互联芯片市场布局走势及应用前景探究
- 5-6存储芯片市场布局驱动芯片与智能卡芯片产品发展趋势分析
- 5-5新一代至强处理器Clearwater
- 5-5Ti2AlSnC MAX米纤维膜光热层光热蒸发器
- 5-5Foveros Direct和 EMIB（2.5D桥接）技术详解
- 5-518A-PT工艺先进3D封装技术应用研究
- 5-5新一代超薄中长距激光雷达EMX
- 5-5激光雷达+双英伟达Thor芯片（算力1400TOPS）探究
公网安备44030402000607
