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发射功率可达1000mW ERP一种极富吸引力的解决方案

发布时间:2021/5/4 17:00:43 访问次数:314

IUT-F190-B40拥有与倍加福F190产品系列中其他解决方案相同的主要优势:拥有坚固的铸造外壳(IP67防护等级)和宽广的温度范围,这使其适合在极具挑战性的工业环境中使用。

该解决方案基于UHF RFID技术,可实现较高的检测范围(最高6m)和速度,并支持多标签读取。

IUT-F190-B40的发射功率可达1000mW ERP,外壳尺寸仅为114 x 112 x 63 mm,这使其在市场上的性能堪称一流。

通过输出端的信号灯可以显示操作准备就绪或读取成功的状态。

制造商:Diodes Incorporated 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:NPN 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:160 V 集电极—基极电压 VCBO:180 V 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V 集电极—射极饱和电压:0.2 V 最大直流电集电极电流:0.6 A Pd-功率耗散:300 mW 增益带宽产品fT:300 MHz 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 直流电流增益 hFE 最大值:250 高度:1 mm 长度:3.05 mm 技术:Si 宽度:1.4 mm 商标:Diodes Incorporated 集电极连续电流:0.6 A 直流集电极/Base Gain hfe Min:80 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 3000 子类别:Transistors 单位重量:8 mg

器件集成了存储器保护单元(MPU),嵌入高速存储器(带读保护,写保护,专用代码保护和可加密区的多达128KB闪存和36KB SRAM),DMA和各种系统功能,增强I/O和外设.

器件提供标准通信接口(两个I2C,两个SPI/一个I2S,一个HDMI CEC和四个USART),多达19路的12位ADC(2.5MSPS).

可以快速轻松地集成到OT和IT系统中,从而为生产控制和监控、追溯应用以及工厂自动化中的其他工业4.0应用提供了一种极富吸引力的解决方案。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

IUT-F190-B40拥有与倍加福F190产品系列中其他解决方案相同的主要优势:拥有坚固的铸造外壳(IP67防护等级)和宽广的温度范围,这使其适合在极具挑战性的工业环境中使用。

该解决方案基于UHF RFID技术,可实现较高的检测范围(最高6m)和速度,并支持多标签读取。

IUT-F190-B40的发射功率可达1000mW ERP,外壳尺寸仅为114 x 112 x 63 mm,这使其在市场上的性能堪称一流。

通过输出端的信号灯可以显示操作准备就绪或读取成功的状态。

制造商:Diodes Incorporated 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:NPN 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:160 V 集电极—基极电压 VCBO:180 V 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V 集电极—射极饱和电压:0.2 V 最大直流电集电极电流:0.6 A Pd-功率耗散:300 mW 增益带宽产品fT:300 MHz 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 直流电流增益 hFE 最大值:250 高度:1 mm 长度:3.05 mm 技术:Si 宽度:1.4 mm 商标:Diodes Incorporated 集电极连续电流:0.6 A 直流集电极/Base Gain hfe Min:80 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 3000 子类别:Transistors 单位重量:8 mg

器件集成了存储器保护单元(MPU),嵌入高速存储器(带读保护,写保护,专用代码保护和可加密区的多达128KB闪存和36KB SRAM),DMA和各种系统功能,增强I/O和外设.

器件提供标准通信接口(两个I2C,两个SPI/一个I2S,一个HDMI CEC和四个USART),多达19路的12位ADC(2.5MSPS).

可以快速轻松地集成到OT和IT系统中,从而为生产控制和监控、追溯应用以及工厂自动化中的其他工业4.0应用提供了一种极富吸引力的解决方案。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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