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900V 46A碳化硅(SiC)功率MOSFET不需要板外DC电源

发布时间:2021/5/3 18:13:08 访问次数:885

机器的运转都会产生振动,有些振动代表运行正常,而有些振动则表示故障的初始信号。

在预测维护领域,检测振动特征是诊断过程的关键因素,通过振动检测可以确定并缓解问题,以免发生更严重的事件。美国菲力尔通过感应、放大和测量细微运动,使用户可以看到工厂资产(例如机器)上的振动特征,保障机器的正常运行。

传统检测机器震动的方法是在机器上部署有线传感器(例如接触式加速计)监视出现的振动。

在从传感器获取数据后,对该数据进行工作振型分析,以呈现机器运动的动画模型,从而使振动模式可视化。


制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包装 卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel®

零件状态 有源

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A(Ta),80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA

Vgs(最大值) ±20V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 PG-TDSON-8-5

封装/外壳 8-PowerTDFN

漏源电压(Vdss) 30V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2800pF @ 15V

基本产品编号 BSC050

NVHL060N090SC1是900V 46A碳化硅(SiC)功率MOSFET.和硅器件相比,SiC MOSFET具有优越的开关性能和更高的可靠性.


6.6 kW车载充电器(OBC)SEC-6D6KW-OBC-TTP-GEVB参考设计采用NVHL060N090SC1器件,单片高边和低边栅极驱动器FAN7191 F085,650V N沟功率MOSFET SUPERFET® III NVHL025N65S3,隔离大电流和高效率IGBT驱动器NCV57000DWR2G和图腾柱拓扑,系统效率高达97%,以及提供硬件OCP和OVP.

其板上辅助电源系统提供了板上所需的所有电源,从而不需要板外DC电源.

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

机器的运转都会产生振动,有些振动代表运行正常,而有些振动则表示故障的初始信号。

在预测维护领域,检测振动特征是诊断过程的关键因素,通过振动检测可以确定并缓解问题,以免发生更严重的事件。美国菲力尔通过感应、放大和测量细微运动,使用户可以看到工厂资产(例如机器)上的振动特征,保障机器的正常运行。

传统检测机器震动的方法是在机器上部署有线传感器(例如接触式加速计)监视出现的振动。

在从传感器获取数据后,对该数据进行工作振型分析,以呈现机器运动的动画模型,从而使振动模式可视化。


制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包装 卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel®

零件状态 有源

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A(Ta),80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA

Vgs(最大值) ±20V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 PG-TDSON-8-5

封装/外壳 8-PowerTDFN

漏源电压(Vdss) 30V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2800pF @ 15V

基本产品编号 BSC050

NVHL060N090SC1是900V 46A碳化硅(SiC)功率MOSFET.和硅器件相比,SiC MOSFET具有优越的开关性能和更高的可靠性.


6.6 kW车载充电器(OBC)SEC-6D6KW-OBC-TTP-GEVB参考设计采用NVHL060N090SC1器件,单片高边和低边栅极驱动器FAN7191 F085,650V N沟功率MOSFET SUPERFET® III NVHL025N65S3,隔离大电流和高效率IGBT驱动器NCV57000DWR2G和图腾柱拓扑,系统效率高达97%,以及提供硬件OCP和OVP.

其板上辅助电源系统提供了板上所需的所有电源,从而不需要板外DC电源.

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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