宽带宽分时观测路径接收器以适应不同的控制器板
发布时间:2021/5/3 8:40:19 访问次数:324
四个独立发射器使用直接变频调制器,可在低功耗下实现低噪声运行.
该器件还包括两个宽带宽分时观测路径接收器,每个接收器具有两路输入,用于监测发射器输出.完整的收发器子系统包括自动和手动衰减控制,直流失调校正,正交误差校正 (QEC) 以及数字滤波功能.
它还集成了模数转换器(ADC),数模转换器(DAC)和用于提供各种数字控制选项的通用输入/输出 (GPIO)接口.
主要用在3G/4G/5G TDD 和 FDD 大规模 MIMO,宏蜂窝和小型蜂窝基站.
制造商:Nexperia 产品种类:肖特基二极管与整流器 产品:Schottky Rectifiers 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSN-1006-2 配置:Single 技术:Si If - 正向电流:1 A Vrrm - 重复反向电压:30 V Vf - 正向电压:415 mV Ifsm - 正向浪涌电流:10 A Ir - 反向电流 :300 uA 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 端接类型:SMD/SMT 类型:Low VF MEGA Schottky Barrier Rectifier 商标:Nexperia Pd-功率耗散:1.78 W 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers 工厂包装数量10000 子类别:Diodes & Rectifiers Vr - 反向电压 :30 V 零件号别名:934068753315 单位重量:0.400 mg
NVHL060N090SC1是900V 46A碳化硅(SiC)功率MOSFET.和硅器件相比,SiC MOSFET具有优越的开关性能和更高的可靠性.
更低的开态(ON)电阻和紧凑的芯片尺寸,保证有更低的电容和栅极电容.因此,SiC MOSFET系统具有最高的效率,更快的工作频率,较高的功率密度,从而降低了EMI和系统尺寸.
其板上辅助电源系统提供了板上所需的所有电源,从而不需要板外DC电源.同时还提供灵活的控制接口,以适应不同的控制器板.
四个独立发射器使用直接变频调制器,可在低功耗下实现低噪声运行.
该器件还包括两个宽带宽分时观测路径接收器,每个接收器具有两路输入,用于监测发射器输出.完整的收发器子系统包括自动和手动衰减控制,直流失调校正,正交误差校正 (QEC) 以及数字滤波功能.
它还集成了模数转换器(ADC),数模转换器(DAC)和用于提供各种数字控制选项的通用输入/输出 (GPIO)接口.
主要用在3G/4G/5G TDD 和 FDD 大规模 MIMO,宏蜂窝和小型蜂窝基站.
制造商:Nexperia 产品种类:肖特基二极管与整流器 产品:Schottky Rectifiers 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSN-1006-2 配置:Single 技术:Si If - 正向电流:1 A Vrrm - 重复反向电压:30 V Vf - 正向电压:415 mV Ifsm - 正向浪涌电流:10 A Ir - 反向电流 :300 uA 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 端接类型:SMD/SMT 类型:Low VF MEGA Schottky Barrier Rectifier 商标:Nexperia Pd-功率耗散:1.78 W 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers 工厂包装数量10000 子类别:Diodes & Rectifiers Vr - 反向电压 :30 V 零件号别名:934068753315 单位重量:0.400 mg
NVHL060N090SC1是900V 46A碳化硅(SiC)功率MOSFET.和硅器件相比,SiC MOSFET具有优越的开关性能和更高的可靠性.
更低的开态(ON)电阻和紧凑的芯片尺寸,保证有更低的电容和栅极电容.因此,SiC MOSFET系统具有最高的效率,更快的工作频率,较高的功率密度,从而降低了EMI和系统尺寸.
其板上辅助电源系统提供了板上所需的所有电源,从而不需要板外DC电源.同时还提供灵活的控制接口,以适应不同的控制器板.
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