39K逻辑单元56个18x18乘法器2.9Mb嵌入存储器
发布时间:2021/5/2 23:45:00 访问次数:361
两个Sitara吉比特TSN使能的PRU-ICSSG和多达两个Arm Cortex-A53核,多达4个Cortex-R5F MCU和一个Cortex-M4F MCU.
AM64x系列的架构通过高性能的R5F,紧密耦合的存储器组,配置SRAM分割和专用的低等待来回外设通路以便数据在SoC中迅速传输,从而提供业界最好的实时性能.
这种架构使得AM64x能处理在伺服驱动所遇到的紧密控制回路,而外设如FSI, GPMC, PWM, Sigma Delta抽取滤波器,绝对编码器接口则有助于这些系统中所采用的不同的架构.
制造商:ON Semiconductor 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:50 V Id-连续漏极电流:130 mA Rds On-漏源导通电阻:10 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2 V Qg-栅极电荷:1.3 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:360 mW 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.2 mm 长度:2.9 mm 产品:MOSFET Small Signal 晶体管类型:1 P-Channel 宽度:1.3 mm 商标:ON Semiconductor / Fairchild 正向跨导 - 最小值:0.6 S 下降时间:6.3 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:6.3 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:10 ns 典型接通延迟时间:2.5 ns 零件号别名:BSS84_NL 单位重量:31 mg
它的处理特性包括高达39K逻辑单元,56个18x18乘法器,2.9Mb嵌入存储器(由EBR和LRAM区块组成),分布式存储器,DRAM接口(支持DDR3,DDR3L,LPDDR2和LPDDR3,高达1066 Mbpsx16数据宽).
器件支持高达1.8V VCCIO,混合电压支持1.0 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V,高速差分高达1.5Gbps,支持soft D-PHY (Tx/Rx), LVDS 7:1 (Tx/Rx), SLVS (Tx/Rx), subLVDS (Rx)以及SGMII(Gb 以太网)-1.25Gbps时两路(Tx/Rx).
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
两个Sitara吉比特TSN使能的PRU-ICSSG和多达两个Arm Cortex-A53核,多达4个Cortex-R5F MCU和一个Cortex-M4F MCU.
AM64x系列的架构通过高性能的R5F,紧密耦合的存储器组,配置SRAM分割和专用的低等待来回外设通路以便数据在SoC中迅速传输,从而提供业界最好的实时性能.
这种架构使得AM64x能处理在伺服驱动所遇到的紧密控制回路,而外设如FSI, GPMC, PWM, Sigma Delta抽取滤波器,绝对编码器接口则有助于这些系统中所采用的不同的架构.
制造商:ON Semiconductor 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:50 V Id-连续漏极电流:130 mA Rds On-漏源导通电阻:10 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2 V Qg-栅极电荷:1.3 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:360 mW 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.2 mm 长度:2.9 mm 产品:MOSFET Small Signal 晶体管类型:1 P-Channel 宽度:1.3 mm 商标:ON Semiconductor / Fairchild 正向跨导 - 最小值:0.6 S 下降时间:6.3 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:6.3 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:10 ns 典型接通延迟时间:2.5 ns 零件号别名:BSS84_NL 单位重量:31 mg
它的处理特性包括高达39K逻辑单元,56个18x18乘法器,2.9Mb嵌入存储器(由EBR和LRAM区块组成),分布式存储器,DRAM接口(支持DDR3,DDR3L,LPDDR2和LPDDR3,高达1066 Mbpsx16数据宽).
器件支持高达1.8V VCCIO,混合电压支持1.0 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V,高速差分高达1.5Gbps,支持soft D-PHY (Tx/Rx), LVDS 7:1 (Tx/Rx), SLVS (Tx/Rx), subLVDS (Rx)以及SGMII(Gb 以太网)-1.25Gbps时两路(Tx/Rx).
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