Bourns电流检测电阻测量精度较高加上相对较低的成本，因此越来越受欢迎，这些电阻可侦测电流并转换为易于测量的电压，该电压与流经该设备的电流乃成正比。

Bourns® CSM2F系列有四种不同封装尺寸：6918、8518、7036和全新8536公制尺寸，并推出两种新的终端表面处理-全电镀电极及裸铜电极两款全新表面处理样式。

新型「完全电镀」型号在材料冲压后，再经过镀锡处理以产生保护层，该保护层在负载寿命测试受益后可提供增强的性能、长期稳定性和较低的电阻漂移。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: GaN

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 12 A

Rds On-漏源导通电阻: 6.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.56 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.75 mm

长度: 4.9 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.9 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 5.8 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 5.8 ns

工厂包装数量: 2500

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 29 ns

典型接通延迟时间: 6.7 ns

零件号别名: BSO064N03SXT

单位重量: 540 mg

RAJ306001和RAJ306010电机控制IC的关键特性.

MCU和前置驱动器集成在单个8mmx8mm QFN封装中，包括电荷泵、线性稳压器、电流检测、可编程压摆率控制和BEMF检测电路，可实现无传感器操作.

高度集成优化电路板尺寸并降低控制系统BOM成本.

支持6-30V（RAJ306001）和6-42V（RAJ306010）电压工作范围.

SADT发生器可使MOSFET在较低温度下保持高效率运行.

无传感器电机控制可实现从低速到高速旋转的稳定运行，并可免除使用霍尔IC.

集成安全功能,包括IEC 60730安全标准支持,可检测错误并在发生错误时停止电机运行.

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）