新型Vishay Siliconix SQJA81EP导通电阻达到80 V p沟道器件优异水平，可提高汽车应用功率密度和能效。SQJA81EP采用欧翼引线结构5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型单体封装，10 V条件下最大导通电阻仅为17.3 mW /典型值为14.3 mW。

日前发布的汽车级MOSFET导通电阻比最接近的DPAK封装竞品器件低28 %，比前代解决方案低31 %，占位面积减小50 %，有助于降低导通功耗，节省能源，同时增加功率密度提高输出。

SQJA81EP鸥翼引线结构还有助于提高自动光学检测（AOI）功能，消除机械应力，提高板级可靠性。

制造商 Infineon Technologies  

系列 OptiMOS™  

包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel®  

零件状态 有源  

FET 类型 N 通道  

技术 MOSFET（金属氧化物）  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A（Ta），40A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 8 毫欧 @ 20A，10V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250μA  

Vgs（最大值） ±20V  

FET 功能 

功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），35W（Tc）  

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型 表面贴装型  

供应商器件封装 PG-TSDSON-8  

封装/外壳 8-PowerTDFN  

漏源电压（Vdss） 30V  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 27nC @ 10V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2100pF @ 15V  

基本产品编号 BSZ088  

在开关电源设计中，实现低EMI电源和小解决方案尺寸通常是相互矛盾的。

而LM25149-Q1和LM25149降压控制器支持工程师满足具有挑战性的EMI标准，并通过减小无源EMI滤波器的面积和体积来缩减解决方案尺寸。

与同类解决方案相比，在440 kHz频率下，工程师最多可以将前端EMI滤波器的面积和体积分别缩减近50%和75%以上。

工程师还可以利用外部反馈和环路补偿进一步优化其设计。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）