降低电源中的EMI是一项日益严峻的设计挑战，尤其是随着高级驾驶辅助系统(ADAS)、汽车信息娱乐系统与仪表组、楼宇自动化以及航空航天和国防设计中电子元件的增加，降低EMI已迫在眉睫。

以前，确保设计符合传导EMI规格的方法是增加外部无源EMI滤波器的尺寸，这反而增加了电源解决方案的整体尺寸。

通过集成式有源EMI滤波器，LM25149-Q1和LM25149降压控制器使工程师能够满足EMI标准，同时提高设计的功率密度。

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel®

零件状态

有源

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

9A（Ta），35A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

11.5 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

2.1W（Ta），25W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TSDSON-8

封装/外壳

8-PowerTDFN

漏源电压（Vdss）

30V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

17nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1300pF @ 15V

基本产品编号

BSZ130

第三代津逮®CPU显著提升了各种标准的加解密、验签、数据完整性等密码应用的运算性能；丰富了内存保护机制，可对不同内存区域或内存全域进行加密保护。

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(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）