额定值的过冲电压半砖封装内实现20W/in3的出色功率密度
发布时间:2021/5/1 20:13:13 访问次数:554
ROHM一直在大力推动业内先进的SiC元器件和各种具有优势的硅元器件的开发与量产，以及在中等耐压范围具有出色的高频工作性能的GaN器件的开发。
ROHM就现有GaN器件长期存在的课题开发出可以提高栅极-源极间额定电压的技术，能够为各种应用提供更广泛的电源解决方案。
GaN器件的栅极-源极间额定电压较低，在开关工作期间可能会发生超过额定值的过冲电压，所以在产品可靠性方面一直存在很大的问题。
制造商: Maxim Integrated
产品种类: 开关控制器
RoHS: 详细信息
封装 / 箱体: TQFN-EP-12
资格: AEC-Q100
封装: Tube
系列: MAX16992
类型: Current Mode PWM Controllers
商标: Maxim Integrated
产品类型: Switching Controllers
工厂包装数量: 100
子类别: PMIC - Power Management ICs
零件号别名: MAX16992
高达90%的效率水平可最大限度地减少不必要的热量产生，并在一个仅为2.28英寸x 2.40英寸x 0.67英寸（57.9毫米x 61.0毫米x 17.0毫米）的工业标准半砖封装内实现20W/in3的出色功率密度。
该系列有五种型号可选，提供12.0V、15.0V、24.0V、36.0V或48.0V的单输出电压。
ASB75系列的空载电流损耗功率小于150mW，大大减少了终端设备的备用电源需求，使其能够满足具有挑战性的现代效率标准。
预装或单独提供散热片，以允许设计者在首选的情况下使用传统对流或强制空气冷却.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
ROHM一直在大力推动业内先进的SiC元器件和各种具有优势的硅元器件的开发与量产，以及在中等耐压范围具有出色的高频工作性能的GaN器件的开发。
ROHM就现有GaN器件长期存在的课题开发出可以提高栅极-源极间额定电压的技术，能够为各种应用提供更广泛的电源解决方案。
GaN器件的栅极-源极间额定电压较低，在开关工作期间可能会发生超过额定值的过冲电压，所以在产品可靠性方面一直存在很大的问题。
制造商: Maxim Integrated
产品种类: 开关控制器
RoHS: 详细信息
封装 / 箱体: TQFN-EP-12
资格: AEC-Q100
封装: Tube
系列: MAX16992
类型: Current Mode PWM Controllers
商标: Maxim Integrated
产品类型: Switching Controllers
工厂包装数量: 100
子类别: PMIC - Power Management ICs
零件号别名: MAX16992
高达90%的效率水平可最大限度地减少不必要的热量产生，并在一个仅为2.28英寸x 2.40英寸x 0.67英寸（57.9毫米x 61.0毫米x 17.0毫米）的工业标准半砖封装内实现20W/in3的出色功率密度。
该系列有五种型号可选，提供12.0V、15.0V、24.0V、36.0V或48.0V的单输出电压。
ASB75系列的空载电流损耗功率小于150mW，大大减少了终端设备的备用电源需求，使其能够满足具有挑战性的现代效率标准。
预装或单独提供散热片，以允许设计者在首选的情况下使用传统对流或强制空气冷却.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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