面向射频（RF）功率放大器的半砖封装数字DC/DC转换器BMR685，该转换器可提供高达1300W的连续输出功率。

随着电信基础设施转换到5G，RF功率放大器（RFPA）的功耗变得越来越大，RF功放设计人员正在从LDMOS转移到氮化镓（GaN）晶体管。

高效DC/DC转换器的需求，并要求其能以更小尺寸封装提供所需的功率。BMR685的功率处理能力使其非常适合用于这些大功率RF功率放大器应用，并能同时满足LDMOS和GaN两者所需。

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel®

零件状态

有源

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

29A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

1.8 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

2.5W（Ta），69W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TDSON-8-1

封装/外壳

8-PowerTDFN

漏源电压（Vdss）

25V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

39nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2800pF @ 12V

基本产品编号

BSC018

ADQUADMXFE1EBZ 16通道混合信号前端数字转换器主要特性：

16个RF接收(Rx)通道（32个数字Rx通道）

16个RF发射(Tx)通道（32个数字Tx通道）

提供MATLAB®应用脚本形式的特定应用示例和GUI

灵活的时钟分配

ADQUADMXFE-CAL数字转换卡主要特性：

提供单独的相邻通道回送和组合通道回送选项

通过SMA连接器提供组合Tx和Rx通道输出

板载对数功率检波器，具备AD5592R数字转换功能

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）