Cree | Wolfspeed 新型 X-波段器件为设计工程师提供了丰富的选项，适合要求在苛刻尺寸内实现高效率发射解决方案的系统，例如在有源相阵控雷达应用中所需要的那些。

通过采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 技术，这些新型器件能够在小型且行业标准封装内提供高功率附加效率（PAE），从而助力设计人员能够在更小型的系统中实现性能的最大化，且功耗更少。

通过采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 解决方案，将赋能实现关键射频系统所要求的更小尺寸、更轻重量、更高功率（SWaP）、以及性能达到新的高度。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    80 V    

Id-连续漏极电流:    100 A    

Rds On-漏源导通电阻:    4.5 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    2.2 V    

Qg-栅极电荷:    61 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    139 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

长度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 5  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   5.15 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   55 S  

下降时间:   13 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   12 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   43 ns  

典型接通延迟时间:   20 ns  

零件号别名:  BSC030N08NS5 SP001077098  

单位重量:  506.600 mg

思特威3K级系列产品采用2880x1620分辨率，拥有远优于2K视频影像以及比肩4K分辨率的出色画质，不仅填补了逐步兴起的3K影像应用对此类图像传感器的迫切需求，并且有效降低了后端处理负荷及传输和存储的带宽压力，使系统得到了充分的优化，为3K应用客户量身打造优质影像解决方案。

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