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电容的外壳和填充树脂满足UL94 V-0的阻燃等级要求

发布时间:2021/5/1 16:22:43 访问次数:786

新的爱普科斯(EPCOS)安规电容系列B3292#P/Q系列。相比于最高工作温度为110 °C的常规安规电容,新系列电容的最大允许工作温度高达125 °C。

此外,电容的外壳和填充树脂满足UL94 V-0的阻燃等级要求。

B3292P/Q系列的容值范围为0.033 μF至5.6 μF,最大工作电压为305 V AC,可在严苛工况下可靠运行。该系列满足标准85°C/85%RH/240VAC/500H的THB测试(高温高湿负荷测试)要求。

B3292P/Q系列依据IEC 60384-14:2013/AMD1:2016取得安规认证并满足AEC-Q200标准要求。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    30 V    

Id-连续漏极电流:    100 A    

Rds On-漏源导通电阻:    1.2 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    1 V    

Qg-栅极电荷:    131 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    139 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

长度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   5.15 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   65 S  

下降时间:   8.6 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   8.6 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   51 ns  

典型接通延迟时间:   13 ns  

零件号别名:  BSC14N3LSGXT SP000394677 BSC014N03LSGATMA1  

单位重量:  107.210 mg

高端视频应用向4K分辨率过渡的过程中,又因4K视频受限于传输带宽在h.265编码压制后,导致其最终呈现效果并未达到对4K影像的应用预期,因此在2K与4K之间诞生了3K视频的蓝海市场契机。

思特威凭借着对客户差异化需求的不断深掘,敏锐地洞悉到2K与4K影像领域之间巨大的CIS蓝海市场并推出3K级产品系列,以更好地契合终端客户应用需求的升级。

2颗3K级图像传感器外,后续思特威还将有更多系列产品面世,包括近红外增强及星光级系列的产品,以更好地满足不同客户应用的多元化及差异化需求。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

新的爱普科斯(EPCOS)安规电容系列B3292#P/Q系列。相比于最高工作温度为110 °C的常规安规电容,新系列电容的最大允许工作温度高达125 °C。

此外,电容的外壳和填充树脂满足UL94 V-0的阻燃等级要求。

B3292P/Q系列的容值范围为0.033 μF至5.6 μF,最大工作电压为305 V AC,可在严苛工况下可靠运行。该系列满足标准85°C/85%RH/240VAC/500H的THB测试(高温高湿负荷测试)要求。

B3292P/Q系列依据IEC 60384-14:2013/AMD1:2016取得安规认证并满足AEC-Q200标准要求。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    30 V    

Id-连续漏极电流:    100 A    

Rds On-漏源导通电阻:    1.2 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    1 V    

Qg-栅极电荷:    131 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    139 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

长度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   5.15 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   65 S  

下降时间:   8.6 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   8.6 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   51 ns  

典型接通延迟时间:   13 ns  

零件号别名:  BSC14N3LSGXT SP000394677 BSC014N03LSGATMA1  

单位重量:  107.210 mg

高端视频应用向4K分辨率过渡的过程中,又因4K视频受限于传输带宽在h.265编码压制后,导致其最终呈现效果并未达到对4K影像的应用预期,因此在2K与4K之间诞生了3K视频的蓝海市场契机。

思特威凭借着对客户差异化需求的不断深掘,敏锐地洞悉到2K与4K影像领域之间巨大的CIS蓝海市场并推出3K级产品系列,以更好地契合终端客户应用需求的升级。

2颗3K级图像传感器外,后续思特威还将有更多系列产品面世,包括近红外增强及星光级系列的产品,以更好地满足不同客户应用的多元化及差异化需求。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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