Qspeed升压二极管针对连续导通模式PFC操作进行了优化，具有非常低的反向恢复损耗，其性能接近碳化硅器件，却不会带来成本的增加。

封装内部集成了QSpeed低Qrr升压二极管的HiperPFS-4功率因数校正(PFC)控制器IC.

EU从站系列产品线得以完美补足，可提升自动组装、测试和检查设备的性能，如手机玻璃屏检测、电池组装、相机镜头组装和测试、点胶设备和检查设备等。

在测试应用中，EtherCAT系统可节省高达10%的总体拥有成本（TCO），并提高30％的生产率。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    80 V    

Id-连续漏极电流:    95 A    

Rds On-漏源导通电阻:    7.6 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    2.2 V    

Qg-栅极电荷:    32 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    83 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

长度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 5  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   5.15 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   38 S  

下降时间:   5 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   7 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   19 ns  

典型接通延迟时间:   12 ns  

零件号别名:  BSC052N08NS5 SP001232632  

单位重量:  506.600 mg

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(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）