CISSOID IPM 智能功率模块10ms以内执行整颗芯片的擦除
发布时间:2021/4/29 22:46:40 访问次数:395
CISSOID IPM 智能功率模块除采用了国际上最流行的SiC MOSFET芯片外，我们也与中国国内的SiC芯片厂商开展深入合作，也相继推出了基于中国国产SiC MOSFET的IPM模块（CXT－PLA3SA550CA 和CMT－PLA3SB340CA）.
这些中国国产版的SiCIPM模块一方面适应了中国国内的市场需求，另一方面亦促进了与国内半导体产业链的共同发展。
自硅功率半导体器件诞生以来，应用需求一直推动着结温的升高，目前已达到150℃。
制造商:Nexperia 产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管 产品类型:ESD Suppressors 极性:Bidirectional 工作电压:5 V 通道数量:2 Channel 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 击穿电压:7.6 V 钳位电压:10 V 峰值脉冲功耗 (Pppm):350 W Vesd - 静电放电电压气隙:15 kV Cd - 二极管电容 :75 pF 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:Nexperia 工厂包装数量3000 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 零件号别名:934058864215 单位重量:8.800 mg
例如，2Mbit AT25EU0021A可在10ms以内执行整颗芯片的擦除，而消耗的电能低于竞争方案所需的1%。竞争方案可能需要整整1秒或更长的时间来执行相同的操作。
实现更快、功耗更低的擦除操作，可以提升设备的软件无线更新（OTA）、事件跟踪、数据记录活动等功能的效率。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
CISSOID IPM 智能功率模块除采用了国际上最流行的SiC MOSFET芯片外，我们也与中国国内的SiC芯片厂商开展深入合作，也相继推出了基于中国国产SiC MOSFET的IPM模块（CXT－PLA3SA550CA 和CMT－PLA3SB340CA）.
这些中国国产版的SiCIPM模块一方面适应了中国国内的市场需求，另一方面亦促进了与国内半导体产业链的共同发展。
自硅功率半导体器件诞生以来，应用需求一直推动着结温的升高，目前已达到150℃。
制造商:Nexperia 产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管 产品类型:ESD Suppressors 极性:Bidirectional 工作电压:5 V 通道数量:2 Channel 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 击穿电压:7.6 V 钳位电压:10 V 峰值脉冲功耗 (Pppm):350 W Vesd - 静电放电电压气隙:15 kV Cd - 二极管电容 :75 pF 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:Nexperia 工厂包装数量3000 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 零件号别名:934058864215 单位重量:8.800 mg
例如，2Mbit AT25EU0021A可在10ms以内执行整颗芯片的擦除，而消耗的电能低于竞争方案所需的1%。竞争方案可能需要整整1秒或更长的时间来执行相同的操作。
实现更快、功耗更低的擦除操作，可以提升设备的软件无线更新（OTA）、事件跟踪、数据记录活动等功能的效率。
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