ITU-T G.8262和G.8262.1标准用于增强型同步以太网/OTN
发布时间:2021/4/29 21:55:37 访问次数:1083
切换器配有错误处理、先进的错误报告等功能，以及带有纠错功能的端到端数据保护功能，这是可靠性、可用性与服务性 (RAS) 方面的关键功能。
先进的电源管理能力，代表这款切换器符合最严格的节能要求。在热插入埠未使用时，将维持在低功耗状态。在满载条件和 80°C 的接面温度下，PI7C9X3G808GP 的功耗仅为 2.9W。
Diodes Incorporated 的PI7C9X3G808GP采用 196 球 BGA 格式高效能覆晶封装方式，尺寸为 15mm x 15mm。
制造商:ON Semiconductor 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-
抖动低至64fs（典型值）RMS
600mW低功耗
采用24和28引脚，4mm x 4mm QFN封装
具有四个差分输出的单、双输入选项
电源噪声抑制优于-80dB
输出到输出隔离为-80dBc
符合ITU-T G.8262和G.8262.1标准，用于增强型同步以太网/OTN
集成晶体选件，可节省更多空间
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
切换器配有错误处理、先进的错误报告等功能，以及带有纠错功能的端到端数据保护功能，这是可靠性、可用性与服务性 (RAS) 方面的关键功能。
先进的电源管理能力，代表这款切换器符合最严格的节能要求。在热插入埠未使用时，将维持在低功耗状态。在满载条件和 80°C 的接面温度下，PI7C9X3G808GP 的功耗仅为 2.9W。
Diodes Incorporated 的PI7C9X3G808GP采用 196 球 BGA 格式高效能覆晶封装方式，尺寸为 15mm x 15mm。
制造商:ON Semiconductor 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-
抖动低至64fs（典型值）RMS
600mW低功耗
采用24和28引脚，4mm x 4mm QFN封装
具有四个差分输出的单、双输入选项
电源噪声抑制优于-80dB
输出到输出隔离为-80dBc
符合ITU-T G.8262和G.8262.1标准，用于增强型同步以太网/OTN
集成晶体选件，可节省更多空间
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