借助仿真软件，TDK还能根据客户指定的频谱、最大电流和安装方式等参数计算电容器的热反应，并能评估可能出现的热点位置。

必要时，我们可将评估结果附加在型式认证中。

这样能为客户带来极大优势，如无需复杂和冗长的测试和重新设计工作，大幅缩短了产品上市时间，从而赢得明显的竞争优势。

电容器内部的温度分布仿真。在示例中，最低温度与最高温度之间的温差约为20 K。

制造商:Micron Technology 产品种类:NOR闪存 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VFDFPN-8 系列: 存储容量:64 Mbit 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:3.6 V 有源读取电流（最大值）:8 mA 接口类型:SPI 最大时钟频率:75 MHz 组织:8 M x 8 数据总线宽度:8 bit 定时类型:Synchronous 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 存储类型:NOR 速度:75 MHz 商标:Micron 电源电流—最大值:8 mA 产品类型:NOR Flash 标准:Not Supported 4000 子类别:Memory & Data Storage

ModCap采用并联的扁平绕组结构设计，并填充聚氨酯树脂。

这种设计使其能尽可能靠近 IGBT 模块安装，最大限度缩短了引线。加上低至 14 nH 的超低自感，可确保在断电时有效防止 IGBT 模块上出现明显电压过冲。

一般情况下就无需额外的缓冲电容器，从而能减小空间需求并降低新型逆变器的设计成本。

器件具有输入欠压锁住保护,短路保护,输出过压保护,过流保护和热关断保护.工作温度-40C +125C.主要用在汽车设备和其它电子设备.

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）