超低功耗非易失PLD器件,共有六个器件,查找表(LUT)从256到6864.此外,基于LUT,低成本可编逻辑这些器件具有嵌入区块RAM(EBR),分布式RAM,用户闪存(UFM),锁相环(PLL),支持预工程源同步I/O,支持先进的配置包括双引导功能和通用功能的硬化版本包括SPI控制器,I2C 控制器和计时器/计数器.

这些特性使得这些器件可用在低成本量大的消费类和系统应用.

MachXO2系列产品采用65nm非易失低功耗工艺,器件的架构有几个特性如可编低摆动差分I/O和能够关断I/O 组(bank),片上PLL和动态振荡器.

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 95 A

Rds On-漏源导通电阻: 7.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

Qg-栅极电荷: 32 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 83 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 5

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 38 S

下降时间: 5 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 7 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 19 ns

典型接通延迟时间: 12 ns

零件号别名: BSC052N08NS5 SP001232632

单位重量: 506.600 mg

这些特性有助管理静态和动态功耗,因此所有系列产品都有低静态功耗.待机功耗低到22 μW.

SR接线箱在推向市场之后，SR系列一开始将提供几种版本的远程I/O机柜，能满足石油和天然气、化学和制药行业的需求。

这些版本将通过其他产品的不断补充而得到加强，例如接线箱和操作站、控制单元、断路器和安全开关以及现场总线解决方案，这样用户将来可以从完整的产品组合中受益。

SR系列，进一步巩固了其作为过程自动化专业领域的防爆设备供应商的地位。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）