级联配置无需复杂的驱动电路，加快了产品上市速度。该器件在硬开关和软开关电路中均具有出色的性能，为设计人员提供极大的灵活性。

钛金级是80 PLUS®规格中最严苛的，满载条件下要求达到>91%的效率（半载条件下>96%）。

对于2 kW及更高功率的服务器电源应用，使用传统硅器件来实现这种性能水平，电路设计复杂而具有挑战性。Nexperia新的功率GaN FET非常适合简洁的无桥图腾柱PFC电路，使用更少的器件，并能减少尺寸和系统成本。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 39 A

Rds On-漏源导通电阻: 10 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 20 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 28 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3M

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 25 S

下降时间: 5 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 4.4 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 7 ns

典型接通延迟时间: 7.9 ns

零件号别名: SP000311516 BSC12N3MSGXT BSC120N03MSGATMA1

单位重量: 100 mg

MAX41473/MAX41474是290MHz到960MHz高性能低功耗 ASK/FSK接收器.

频率信息能从DPLL-0 到DPLL-1,反之亦然,使得两个基准(组合模式)的频率特性得以组合. 8V19N850可通过引脚映射I3CSM(包括以前的I2C)和3/4线SPI接口进行配置.

设备时钟域(RF-PLL)支持JESD204B/C,而数字时钟域(以太网和FEC速率)支持eEEC和T-BC/T-TSC Class C.器件的核电源为3.3V,输出电压为3.3V,2.5V和1.8V.

采用10 × 10 mm 88-VFQFPN封装,工作温度-40C 到 +105C.主要用于无线基础设备5G无线电.

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）