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在热插入埠未使用时196球BGA格式高效能覆晶封装方式

发布时间:2021/4/27 20:05:10 访问次数:270

切换器配有错误处理、先进的错误报告等功能,以及带有纠错功能的端到端数据保护功能,这是可靠性、可用性与服务性 (RAS) 方面的关键功能。

先进的电源管理能力,代表这款切换器符合最严格的节能要求。在热插入埠未使用时,将维持在低功耗状态。在满载条件和 80°C 的接面温度下,PI7C9X3G808GP 的功耗仅为 2.9W。

Diodes Incorporated 的PI7C9X3G808GP采用 196 球 BGA 格式高效能覆晶封装方式,尺寸为 15mm x 15mm。

制造商:NXP 产品种类:ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:HLQFP-100 核心:ARM Cortex M33 程序存储器大小:128 kB 数据总线宽度:32 bit ADC分辨率:16 bit 最大时钟频率:150 MHz 输入/输出端数量:64 I/O 数据 RAM 大小:80 kB 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 105 C 封装:Tray 产品:MCU+FPU 程序存储器类型:Flash 商标:NXP Semiconductors 数据 Ram 类型:SRAM 接口类型:I2C, I2S, SPI, USART 湿度敏感性:Yes 计时器/计数器数量:5 Timer 产品类型:ARM Microcontrollers - MCU 工厂包装数量:90 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:1.8 V 看门狗计时器:Watchdog Timer, Windowed 零件号别名:935385877551 单位重量:644.089 mg

它的处理特性包括高达39K逻辑单元,56个18x18乘法器,2.9Mb嵌入存储器(由EBR和LRAM区块组成),分布式存储器,DRAM接口(支持DDR3,DDR3L,LPDDR2和LPDDR3,高达1066 Mbpsx16数据宽).

器件支持高达1.8V VCCIO,混合电压支持1.0 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V,高速差分高达1.5Gbps,支持soft D-PHY (Tx/Rx), LVDS 7:1 (Tx/Rx), SLVS (Tx/Rx), subLVDS (Rx)以及SGMII(Gb 以太网)-1.25Gbps时两路(Tx/Rx).


2个双核Arm® Cortex®-R5F MCU子系统工作频率高达800MHz,用于实时处理,双核Arm® Cortex®-R5F支持双核和单核模式,单核Arm® Cortex®-M4F MCU工作频率高达400MHz,具有带SECDED ECC的256KB SRAM.

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

切换器配有错误处理、先进的错误报告等功能,以及带有纠错功能的端到端数据保护功能,这是可靠性、可用性与服务性 (RAS) 方面的关键功能。

先进的电源管理能力,代表这款切换器符合最严格的节能要求。在热插入埠未使用时,将维持在低功耗状态。在满载条件和 80°C 的接面温度下,PI7C9X3G808GP 的功耗仅为 2.9W。

Diodes Incorporated 的PI7C9X3G808GP采用 196 球 BGA 格式高效能覆晶封装方式,尺寸为 15mm x 15mm。

制造商:NXP 产品种类:ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:HLQFP-100 核心:ARM Cortex M33 程序存储器大小:128 kB 数据总线宽度:32 bit ADC分辨率:16 bit 最大时钟频率:150 MHz 输入/输出端数量:64 I/O 数据 RAM 大小:80 kB 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 105 C 封装:Tray 产品:MCU+FPU 程序存储器类型:Flash 商标:NXP Semiconductors 数据 Ram 类型:SRAM 接口类型:I2C, I2S, SPI, USART 湿度敏感性:Yes 计时器/计数器数量:5 Timer 产品类型:ARM Microcontrollers - MCU 工厂包装数量:90 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:1.8 V 看门狗计时器:Watchdog Timer, Windowed 零件号别名:935385877551 单位重量:644.089 mg

它的处理特性包括高达39K逻辑单元,56个18x18乘法器,2.9Mb嵌入存储器(由EBR和LRAM区块组成),分布式存储器,DRAM接口(支持DDR3,DDR3L,LPDDR2和LPDDR3,高达1066 Mbpsx16数据宽).

器件支持高达1.8V VCCIO,混合电压支持1.0 V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V,高速差分高达1.5Gbps,支持soft D-PHY (Tx/Rx), LVDS 7:1 (Tx/Rx), SLVS (Tx/Rx), subLVDS (Rx)以及SGMII(Gb 以太网)-1.25Gbps时两路(Tx/Rx).


2个双核Arm® Cortex®-R5F MCU子系统工作频率高达800MHz,用于实时处理,双核Arm® Cortex®-R5F支持双核和单核模式,单核Arm® Cortex®-M4F MCU工作频率高达400MHz,具有带SECDED ECC的256KB SRAM.

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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