缓冲器和16位高速15 MSPS逐次逼近寄存器 (SAR) ADC
发布时间:2021/4/26 23:45:13 访问次数:241
Analog Devices的ADAQ23875 μModule®数据采集解决方案(DAQ)。
ADAQ23875采用系统级封装 (SIP) 技术，通过将多个通用信号处理和调理模块整合在一个器件中，减少了终端系统元件数量，缩短了精密测量系统开发周期。
Analog Devices ADAQ23875 DAQ集成低噪声全差分模数转换器 (ADC) 驱动器、稳定的参考缓冲器和16位高速15 MSPS逐次逼近寄存器 (SAR) ADC。
ADAQ23875采用9 mm×9 mm封装，是分立式等效器件的四分之一，可进一步减小仪器仪表的外形尺寸，而不影响其性能。
一旦超过器件的额定电压，就可能会发生劣化和损坏等可靠性方面的问题，这就需要对栅极驱动电压进行高精度的控制，因此，这已成为阻碍GaN器件普及的重大瓶颈问题。
ROHM通过采用自有的结构，成功地将栅极-源极间的额定电压从常规的6V提高到了业内超高的8V。
这使器件工作时的电压裕度达到普通产品的三倍，在开关工作过程中即使产生了超过6V的过冲电压，器件也不会劣化，从而有助于提高电源电路的可靠性。
Analog Devices的ADAQ23875 μModule®数据采集解决方案(DAQ)。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
Analog Devices的ADAQ23875 μModule®数据采集解决方案(DAQ)。
ADAQ23875采用系统级封装 (SIP) 技术，通过将多个通用信号处理和调理模块整合在一个器件中，减少了终端系统元件数量，缩短了精密测量系统开发周期。
Analog Devices ADAQ23875 DAQ集成低噪声全差分模数转换器 (ADC) 驱动器、稳定的参考缓冲器和16位高速15 MSPS逐次逼近寄存器 (SAR) ADC。
ADAQ23875采用9 mm×9 mm封装，是分立式等效器件的四分之一，可进一步减小仪器仪表的外形尺寸，而不影响其性能。
一旦超过器件的额定电压，就可能会发生劣化和损坏等可靠性方面的问题，这就需要对栅极驱动电压进行高精度的控制，因此，这已成为阻碍GaN器件普及的重大瓶颈问题。
ROHM通过采用自有的结构，成功地将栅极-源极间的额定电压从常规的6V提高到了业内超高的8V。
这使器件工作时的电压裕度达到普通产品的三倍，在开关工作过程中即使产生了超过6V的过冲电压，器件也不会劣化，从而有助于提高电源电路的可靠性。
Analog Devices的ADAQ23875 μModule®数据采集解决方案(DAQ)。
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