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单片微波集成电路(MMIC)能将多个元件的完整功能模块

发布时间:2021/4/25 13:28:06 访问次数:367

GaN能够帮助雷达设计者克服功率、散热、重量和尺寸、以及成本效益等诸多挑战,其具备宽的能带隙,拥有极高的临界击穿电场.

具备出色的高温可靠性、出众的高供电电压下的鲁棒性,以及优异的功率密度。

将碳化硅(SiC)作为 GaN的衬底,能实现较低的热膨胀、较低的晶格失配,以及出色的热导率,进而充分发挥GaN 的特性。

单片微波集成电路(MMIC)能将多个元件的完整功能模块制造在单个设备中,进而提高电路密度。

制造商:Rectron 产品种类:稳压二极管 Vz - 齐纳电压:11 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 Pd-功率耗散:350 mW 电压温度系数:9 mV/C Zz - 齐纳阻抗:20 Ohms 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 配置:Single 测试电流:5 mA 封装:Reel 高度:1.1 mm 长度:3.05 mm 宽度:1.4 mm 商标:Rectron Ir - 反向电流 :0.1 uA 产品类型:Zener Diodes 工厂包装数量3000 子类别:Diodes & Rectifiers Vf - 正向电压:900 mV

带SPC接口的霍尔效应3D位置传感器允许主动杂散场补偿

360度,抗杂散场角度测量,使该传感器适合转向角度位置检测*

MicronasmasterHAL®传感器系列的产品组合扩展,发布了新的抗杂散场3D HAL®位置传感器HAL 3970。

该传感器适用于汽车和工业应用,具有从0°到360°的高精度角度检测,线性位置检测,并使用SPC输出来传输计算的位置信息。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

GaN能够帮助雷达设计者克服功率、散热、重量和尺寸、以及成本效益等诸多挑战,其具备宽的能带隙,拥有极高的临界击穿电场.

具备出色的高温可靠性、出众的高供电电压下的鲁棒性,以及优异的功率密度。

将碳化硅(SiC)作为 GaN的衬底,能实现较低的热膨胀、较低的晶格失配,以及出色的热导率,进而充分发挥GaN 的特性。

单片微波集成电路(MMIC)能将多个元件的完整功能模块制造在单个设备中,进而提高电路密度。

制造商:Rectron 产品种类:稳压二极管 Vz - 齐纳电压:11 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 Pd-功率耗散:350 mW 电压温度系数:9 mV/C Zz - 齐纳阻抗:20 Ohms 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 配置:Single 测试电流:5 mA 封装:Reel 高度:1.1 mm 长度:3.05 mm 宽度:1.4 mm 商标:Rectron Ir - 反向电流 :0.1 uA 产品类型:Zener Diodes 工厂包装数量3000 子类别:Diodes & Rectifiers Vf - 正向电压:900 mV

带SPC接口的霍尔效应3D位置传感器允许主动杂散场补偿

360度,抗杂散场角度测量,使该传感器适合转向角度位置检测*

MicronasmasterHAL®传感器系列的产品组合扩展,发布了新的抗杂散场3D HAL®位置传感器HAL 3970。

该传感器适用于汽车和工业应用,具有从0°到360°的高精度角度检测,线性位置检测,并使用SPC输出来传输计算的位置信息。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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