新一代Nano MAG-MATE端子，利用创新的绝缘刺破连接 (IDC)技术，专为容纳30- 40AWG (0.08-0.25mm直径) 精细铜漆包线而设计。

TE的Nano MAG-MATE端子用于1.5毫米间距的连接器,非常适合需要紧凑端接的小型电机和线圈应用。

TE使用IDC技术消除了使用自动化机械对焊接或焊合的需求。端接过程自动化作为可靠而经济的解决方案，不但节省生产时间，同时减少材料浪费。

TE的终端解决方案与此同时还降低了损坏热敏性线路和/或释放化学烟雾的潜在风险。

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 23 A

Rds On-漏源导通电阻: 27.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 9.1 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 32 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 8 S

下降时间: 2 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 3 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 11 ns

典型接通延迟时间: 8 ns

零件号别名: SP000447534 BSC34N8NS3GXT BSC340N08NS3GATMA1

单位重量: 480 mg

G200-25 (5kW 1U)、GSP200-50 (10kW 2U) 和 GSP200-75 (15kW 3U) 型号的宽度均为 423mm，深度均为 441.5mm。

在不需要前面板的情况下，可使用空白的前面板选项（不带计量功能或前面板控制功能）。也可以选配入式滤尘罩来限制空传污染。

可选接口包括 GPIB (IEEE488.2) 和面向EtherCAT、Modbus-TCP 和其他接口选项的AnybusCompactCom接口平台。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）

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